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    25 V FastIRFET™ 系列双通道功率 MOSFET

    25 V FastIRFET™ 系列双通道功率 MOSFET

    International Rectifier 的创新功率模块器件(25 V FastIRFET™ Family of Dual Power MOSFETs)系列适用于 DC-DC 同步降压应用

    发布时间:2018-06-14

    International Rectifier 的 IRFH4251D、IRFH4253D、IRFHE4250D 和 IRFHE4255D 组成了适用于一个 DC-DC 同步降压应用的创新电源模块器件系列,具体应用包括电信和网络通讯设备、服务器和图形卡,以及台式电脑、Ultrabook(超极本)和笔记本电脑。
    25 V IRFH4251D、IRFH4253D、IRFHE4250D 和 IRFHE4255D 在全新封装中内置了 IR 的最新一代硅器件,并通过这种 5 x 6 mm PQFN 封装确立了功率密度新基准。这款全新电源块器件采用集成式单片 FETKY® 以及运用了最前沿翻模技术的创新封装,能够有效地将同步 MOSFET 源产生的热量直接传递至 PCB 的接地层。由于具有更高的热性能和功率密度,一个全新的 5 x 6 双器件可取代两个 5 x 6 的标准单器件。新的封装还采用了已在 PowIRStage® 和 SupIRBuck® 产品中使用的 IR 专有单铜夹。该封装还采用了优化布局,能显著降低杂散电感,以减小峰值振铃效应。这样,设计师就能选择 25 V MOSFET 替代能效较低的 30 V 器件。
    这些器件针对 5 V 栅极驱动应用进行了优化,能和任何控制器或驱动器配合使用以提高灵活性,且相比采用两个分立 30 V 功率 MOSFET 的同类方法,又能在小型封装中实现更高的电流、能效和频率。

    25 V FastIRFET™ 系列双通道功率 MOSFET特性

    • 在一个封装中集成了控制和同步 MOSFET,提高了功率密度

    • 低电荷控制 MOSFET(典型值 10 nC),实现了更低的开关损耗

    • 低 RDS(on) 同步 MOSFET(< 1.10 mΩ / IRFH4251DPbF 和 < 1.45 mΩ / IRFH4253DPbF),实现了更低的导通损耗

    • 可扩展平台,允许在同一基底面上使用额定电流不同的器件

    • 在 Q1 上具有低正向电压的本征肖特基二极管,降低了开关损耗

    • 符合 RoHS 规范、无卤素的环保型器件

    • 通过 MSL2 工业鉴定,增加了可靠性

    FastIRFET™
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