Vishay Semiconductor/Opto Division 扩大了其光电产品组合阵容。该公司推出两种高速 850 nm 和 940 nm 红外发射器和一种封装匹配型高速硅 PIN 光电二极管，后者在 780 nm 至 1050 nm 之间具有高辐射敏感度。VSMG10850、VSMB10940 和 VEMD10940F 均拥有超宽的 +/-75 度半强度角，采用 3 mm × 2 mm × 1 mm（高）的紧凑型侧视表面贴装封装。这些红外发射器均采用透明无染色塑料封装，拥有在 20mA 时典型值为 1 mW/sr 高辐射强度，比市面上的同类产品提高了近 33%，此外还拥有 15 ns 快速开关时间。940 Nm VSMB10940 采用 GaAIAs 多量子阱技术，拥有 1.3 V 低正向电压（典型值）。850 Nm VSMG10850 采用 GaAIAs 双异质技术，拥有 1.4 V 正向电压。VEMD10940F 光电二极管采用日光遮蔽滤光片，与 830 nm 至 950 nm 红外发射器匹配（包括 VSMG10850 和 VSMB10940）。该器件可提供 3 µA 的反向光电流、1 nA 的低暗光电流，拥有 920 nm 的峰值波长灵敏度以及 0.1-%/K 的光电流温度系数。