Vishay扩展其TrenchFET，采用PowerPAK新设备P沟道第三代功率MOSFET ® ChipFET ®和PowerPAK 1212-8S封装。Vishay Siliconix MOSFET旨在提高移动计算和工业控制设备的功效，具有业界最低的导通电阻，适用于-12 V和-20 V设备，并具有-4.5 V和-2.5 V栅极驱动，体积也缩小到3.0 mm x 1.9 mm和3.3毫米×3.3毫米的占地面积。Si5411EDU，Si5415AEDU和SiSS23DN具有-4.5 V和-2.5 V栅极驱动器的低工业导通电阻，使设计人员能够在电路中实现更低的电压降，从而提高电源使用效率和延长电池运行时间。在节省PCB空间的应用是关键的，- 12 V SI54 11EDU和- 20 V SI54 15AEDU提供低通电阻下降到8.2米Ω（- 4.5 V）和11.7米Ω（- 2.5 V）在3毫米1.9 mm PowerPAK ChipFET封装。对于要求非常低的导通电阻的应用，SISS23 DN提供了4.5毫米Ω（- 4.5 V）和6.3 MΩ（-2.5 V）的值，在3.3毫米由3.3毫米功率PayPK 1212至8S封装，具有低0.75毫米的轮廓。