Microchip的 MIC4605是为85V半桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护。自适应死区时间电路主动监控半桥，以最大限度地缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度地提高功效。Anti-Shoot-Through电路可防止错误的输入和噪声同时导通两个MOSFET。MIC4605还提供5.5 V至16 V的宽工作电源范围，以最大限度地提高系统效率。低5.5 V工作电压可在电池供电的应用中实现更长的运行时间。这些特性使MIC4605成为业界最苛刻的电池供电电机应用的理想解决方案，包括电动工具和电源DC / AC逆变器。

自适应死区时间（ADT）电路主动监视半桥开关电路中的MOSFET，一次只允许一个MOSFET工作，从而确保不会永久损坏半桥电路的交叉传导条件。ADT电路还可以尽可能短地保持高端和低端MOSFET之间的转换，从而最大限度地降低由于长死区时间导致的功率损耗，从而降低功率效率。ADT电路无需设计HI和LI输入之间的死区时间裕度和时间延迟，以防止交叉传导，从而降低了微控制器的裕量要求。此外，85 V工作电压可提供足够的余量，以防止电机驱动和电源应用中出现的电压尖峰。

MIC4605具有快速30 ns的传播延迟时间和35 ns的驱动器上升/下降时间，适用于1 nF容性负载。对于MIC4605-1，TTL输入提供对低侧和高侧栅极驱动器的独立控制。MIC4605-2具有单个PWM输入，用于低侧和高侧栅极驱动器。两种模式下的输出都不重叠。内部高压肖特基二极管为高端栅极驱动自举（外部）电容充电。MIC4605采用8引脚SOIC封装和10引脚2.5 mm×2.5 mm TDFN封装。两种封装的工作结温范围均为-40°C至+ 125°C。