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    U-MOSⅧ-H MOSFETs

    U-MOSⅧ-H MOSFETs

    东芝U-MOSⅧ-H是第8代高速沟槽结构MOSFET(U-MOSⅧ-H MOSFETs)

    发布时间:2018-06-14

    东芝的 U-MOSⅧ-H是第8代高速沟槽结构MOSFET。U-MOSⅧ-H是一种高效MOSFET系列,专门设计用于AC-DC和DC-DC电源的二次侧。U-MOSⅧ-H采用最新的沟槽MOS工艺和优化的电池设计,在导通电阻和电容(如输入,反向传输和输出电容)之间实现了出色的折衷。U-MOSⅧ-H有助于提高电源效率。


    U-MOSⅧ-H MOSFETs特性

    • 与先前的Gen-4(30 V至100 V)或Gen-7(30 V)沟槽MOS工艺相比,在导通电阻(Ron)和输入电容(Ciss)之间提供了明显更好的折衷

    • 提供30 V至250 V的各种漏源电压阵容

    • 提供高雪崩坚固性

    • 与前辈相比,可以降低辐射噪声

    U-MOSⅧ-H MOSFETs应用

    1. 用于笔记本电脑适配器,游戏机,服务器,台式电脑和平板显示器的AC-DC电源

    2. 用于通信设备,服务器和数据中心的DC-DC电源

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