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    NextPowerS3 MOSFET

    NextPowerS3 MOSFET

    NXP 提供 NextPowerS3 MOSFE(NextPowerS3 MOSFETs)T:具有低漏泄电流的集成肖特基性能

    发布时间:2018-06-14

    NXP 提供采用独特“SchottkyPlus”技术的的高性能 30 V NextPowerS3 MOSFET。 这是首款具有以下特性的 MOSFET 器件:高频和低尖峰性能(通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 才有这种性能),且没有高泄漏电流问题。 NextPowerS3 MOSFET 应用广泛,包括用于电信和云计算、高性能便携式计算的高性能电源、电池供电型电机控制,如可充电电动工具。

    NextPowerS3 MOSFET特性

    • 通过超低Q G、Q GD和Q OSS实现系统高能效

    • 降低了开关节点的电压尖峰;抗EMI

    • 采用独特的SchottkyPlus 技术、无高泄漏电流的集成肖特基性能

    • 无键合线或者胶粘剂;能够承受175°C 温度

    NextPowerS3 MOSFET应用

    1. 针对服务器和电信应用的板载DC/DC 解决方案

    2. 电信应用中的次级侧同步整流

    3. 稳压器模块(VRM)

    4. 负载点模块

    5. 向V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA 和系统元件供电

    6. 有刷和无刷电机控制

    NextPowerS3 MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    PSMN2R4-30MLDXMOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=70A VDS=30V SOT1210在线订购
    PSMN7R5-30YLDXMOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=51A VDS=30V SOT669¥3.08762在线订购
    PSMN4R0-30YLDXMOSFETs-晶体管MOSFETs 30V 64W SMT SOT669 95A N-Channel¥3.35610在线订购
    PSMN1R4-30YLDXMOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669在线订购
    PSMN4R2-30MLDXMOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=70A VDS=30V SOT1210在线订购
    PSMN3R0-30YLDXMOSFETs-晶体管MOSFETs 30V 91W SMT SOT669 100A N-Channel¥4.63142在线订购
    PSMN2R4-30YLDXMOSFETs-晶体管MOSFETs 30V 106W SMT SOT669 100A N-Channel¥3.35610在线订购
    PSMN7R5-30MLDXMOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=57A VDS=30V SOT1210在线订购
    PSMN1R2-30YLDXMOSFETs-晶体管MOSFETs 30V 194W SMT SOT669 250A N-Channel¥7.11494在线订购
    PSMN1R0-30YLDXMOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=300A VDS=30V SOT669¥12.43000在线订购
    PSMN0R9-30YLDXMOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=300A VDS=30V SOT1023在线订购
    PSMN1R0-40YLDXMOSFETs-晶体管MOSFETs 40V 198W SMT SOT1023 280A N-Channel在线订购
    PSMN1R4-40YLDXMOSFETs-晶体管MOSFETs N-沟道 40V 240A LFPAK56(PowerSO-8)¥13.66848在线订购
    PSMN6R0-30YLDXMOSFETs-晶体管MOS管 N-channel Id=66A VDS=30V SOT669在线订购
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