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LDMOS射频功率晶体管
Ampleon的LDMOS射频功率晶体管（LDMOS RF Power Transistors）专为最恶劣的工程环境而设计
发布时间：2018-06-14
专为最苛刻的工程环境而设计，Ampleon's50 V XR LDMOS RF功率晶体管在真实条件下提供无与伦比的坚固性。它们提供更高的输出功率和简化的设计，同时降低系统成本并消除有害物质的使用。XR产品组合提供21世纪的解决方案，也取代了传统的基于VDMOS的设备。XR系列完全值得拥有“极其坚固”的称号，在最严苛的负载不匹配条件下提供稳定性和无与伦比的坚固性能。这使其成为ISM频段中苛刻（kW），专业，智能RF能量应用（点燃等离子和激光，同步加速器和MRI）的理想选择。它还为地面广播提供了实际功率和效率提升。在FM无线电发射器中提供最高效率的解决方案（由双面ESD二极管实现），XR器件还为IBOC数字无线电，VHF-TV和其他线性应用提供了出色的可校正线性性能和预失真特性。凭借无与伦比的性能，Ampleon的XR系列可帮助您在未来的RF设计方面取得进展。
LDMOS射频功率晶体管特性
极其坚固的高功率输出功率高达1400 W
在严重的不匹配条件下具有出色的稳定性
由于采用全平面匹配结构，结构紧凑，易于制造
由于新的双侧ESD二极管结构具有更大的负电压范围，因此改进了C类操作
降低系统成本
取代VDMOS并消除有害物质
LDMOS射频功率晶体管应用
地面广播系统
调频发射器
IBOC数字广播
VHF电视
ISM应用程序
点燃等离子和激光
同步加速器
核磁共振成像
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLF188XRU | MOSFETs-晶体管 | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A | 在线订购 | |
 | | BLF188XRSU | MOSFETs-晶体管 | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 40mA 108MHz 24.4dB 1400W SOT539B | 在线订购 |
应用案例
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本文将详细讨论目前的市场趋势，并探讨这些变化带来的技术影响，同时分析一些针对从事数字广播高功率、高效率射频功率放大器解决方案的设计人员会遇到的一些挑战以及可用解决方案。
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埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出BLP25RFE001小信号发生器IC——它提供一个可编程频率合成器，可产生位于433、915和2，400MHz ISM频段内的信号。该器件特别设计用于各种射频能量应用，例如工业加热、解冻和烹饪以及等离子照明。
资讯安谱隆半导体推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管2018-05-02
安谱隆半导体（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波（CW）射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装，结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间，从而降低了放大器设计的成本
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