STMicroelectronics 先进的 600 V 沟槽式栅极场截止 IGBT V 系列具有平稳的无电流拖尾关断特性、低至 1.8 V 饱和电压、175°C 最高工作结温，从而能实现更优的系统能效、更高的开关频率和更简化的热和 EMI 设计。
ST 的全新器件通过消除传统 IGBT 的关断电流拖尾提高了开关频率和最高工作频率，并采用有助于提升开关性能和改善散热的超薄芯片厚度。 专有的优化型沟槽式栅极场截止工艺改善了热阻性能，将最高结温提升至 175°C，并实现了对饱和电压等参数的高精度控制，从而允许多个 IGBT 并联，实现更大的电流密度和更高的导通能效。
这些全新 IGBT 极其稳定，具有很高的 dV/dt 能力。 同一封装中的超快软恢复二极管能将导通损耗降至最低。 还可提供适合大多数成本敏感型应用的无二极管版本。
ST 的 V 系列 IGBT 在产产品的额定电流为 20 A 至 80 A，现采用 TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247 或 D2PAK 封装。