
MDmesh II Plus™ 低 Qg 功率 MOSFET

STMicroelectronics M2 技术(MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs)在特定 SMPS 应用领域具有出色的性能,如 LLC 型和谐振转换器
发布时间:2018-06-14
M2(MDmesh II PlusTM 低 Qg)是 STMicroelectronics 在 600V 超级结 MOSFET 领域推出的最新技术。 这项技术旨在实现业界最优性价比,为诸如 LLC 型和谐振转换器等特定 SMPS 应用提供优异的性能。如今,这项技术已大量用于向所有低功耗应用供电,如 LED 和 LCD 平板电视。 通过使用属于 MDMesh II Plus™ 低 Qg 技术的器件,设计人员将体验到极其简单易用的高性能器件,这意味着与其它任何以前的 ST 解决方案相比,总体转换器的电气能效更高。
MDmesh II Plus™ 低 Qg 功率 MOSFET特性
极低栅极电荷
更低 RDS(on) X 面积
低栅极输入电阻
100% 雪崩测试
齐纳保护
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | STW70N60M2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装 | ¥88.87070 | 在线订购 |
![]() | | STP24N60M2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220封装 | 在线订购 | |
![]() | | STF24N60M2 | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP | 在线订购 | |
![]() | | STD10N60M2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装 | ¥4.48572 | 在线订购 |
![]() | | STP18N60M2 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±25V ID=13A Pd=110W TO220-3 | ¥7.70450 | 在线订购 |
![]() | | STD13N60M2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装 | ¥4.28421 | 在线订购 |
![]() | | STL24N60M2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT | ¥34.71786 | 在线订购 |
![]() | | STU9N60M2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK | ¥16.72809 | 在线订购 |
![]() | | STU7N60M2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V IPAK | ¥17.56291 | 在线订购 |
![]() | | STP33N60M2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220封装 | ¥43.12875 | 在线订购 |
![]() | | STW40N60M2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装 | ¥50.45119 | 在线订购 |
应用案例
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