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    MDmesh II Plus™ 低 Qg 功率 MOSFET

    MDmesh II Plus™ 低 Qg 功率 MOSFET

    STMicroelectronics M2 技术(MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs)在特定 SMPS 应用领域具有出色的性能,如 LLC 型和谐振转换器

    发布时间:2018-06-14

    M2(MDmesh II PlusTM 低 Qg)是 STMicroelectronics 在 600V 超级结 MOSFET 领域推出的最新技术。 这项技术旨在实现业界最优性价比,为诸如 LLC 型和谐振转换器等特定 SMPS 应用提供优异的性能。如今,这项技术已大量用于向所有低功耗应用供电,如 LED 和 LCD 平板电视。 通过使用属于 MDMesh II Plus™ 低 Qg 技术的器件,设计人员将体验到极其简单易用的高性能器件,这意味着与其它任何以前的 ST 解决方案相比,总体转换器的电气能效更高。

    MDmesh II Plus™ 低 Qg 功率 MOSFET特性

    • 极低栅极电荷

    • 更低 RDS(on) X 面积

    • 低栅极输入电阻

    • 100% 雪崩测试

    • 齐纳保护

    MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    STW70N60M2MOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装¥25.92100在线订购
    STP24N60M2MOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220封装在线订购
    STF24N60M2MOSFETs-晶体管通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP¥6.59540在线订购
    STD10N60M2MOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装¥3.93043在线订购
    STP18N60M2MOSFETs-晶体管MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±25V ID=13A Pd=110W TO220-3¥8.94740在线订购
    STD13N60M2MOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装¥4.28272在线订购
    STL24N60M2MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT¥34.30260在线订购
    STU9N60M2MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK¥16.74307在线订购
    STU7N60M2MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V IPAK¥17.56981在线订购
    STP33N60M2MOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220封装¥43.14570在线订购
    STW40N60M2MOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装在线订购
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