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30 V PowerPAIR® 3 x 3 MOSFET
Vishay 的 PowerPAIR® 3 x 3 MOSFET （30 V PowerPAIR® 3 x 3 MOSFET）提高了功率密度，同时运行温度低了 30%
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix 宣布推出全新的 30 V、非对称、双通道 TrenchFET 功率 MOSFET，该器件采用 PowerPAIR® 3 mm × 3 mm 封装和第四代 TrenchFET 技术。 相比采用这种封装尺寸的前一代器件，Vishay Siliconix SiZ340DT 的导通电阻降低了 57%，功率密度提升了 25%，且能效提升了 5%。该器件通过在紧凑的封装中纳入一个高和低压侧 MOSFET，从而帮助高能效同步降压转换器降低了功耗、节省了空间并简化了设计。 SiZ340DT 的第四代 TrenchFET 技术采用先进的高密度设计，减少了导通电阻并优化了栅极电荷。 SiZ340DT 显著降低了功耗，能效比竞争产品更高，尤其是在 10 A 和更高输出电流情况下。 有了这种更高的能效，SiZ340DT 可以以相同的输出负载，实现比前一代器件低 30% 的运行温度，或提供更高的功率密度。 对于具有 10 A 至 15 A 输出电流和低于 2 V 输出电压的典型 DC/DC 拓扑结构来说，这款紧凑型 3 mm × 3 mm 的 SiZ340DT 相比使用分立器件的解决方案（例如用于高压侧的 PowerPAK® 1212-8 MOSFET 和用于低压侧的 PowerPAK SO-8）来说，其潜在 PCB 空间节省多达 77%。 该器件降低了切换损耗，并允许使用超过 450 kHz 的更高开关频率，因此可通过使用更小的电感器和电容器来缩小 PCB 尺寸。
30 V PowerPAIR® 3 x 3 MOSFET特性
高和低压侧 MOSFET 同时集成在一个紧凑的 PowerPAIR 3 mm X 3 mm 封装中
通过使用分立式解决方案节省了空间、降低了元件数并简化了设计
TrenchFET 第四低技术使得低压侧 MOSFET 在 10 V 时的导通电阻降至 5.1 mΩ，高压侧在 10 V 时降至 9.5 mΩ。
在前一代基础上提高了效率和输出能力
低导通电阻乘以栅极电荷 FOM 减少了传导和开关损耗，提高了效率
实现更低的工作温度或更高的功率密度
实现 > 450 kHz 的高开关频率下的高效率
允许使用更小的电感器和电容器，从而减少了 PCB 尺寸
经过 100% Rg 和 UIS 测试
无卤素，符合 JEDEC JS709A 规定
符合 RoHS 指令 2011/65/EU
30 V PowerPAIR® 3 x 3 MOSFET应用
“云计算”基础架构、服务器、电信设备和各种客户端电子设备和移动计算中的同步降压设计。
DC/DC 块，包括服务器、计算机、笔记本电脑、图形卡、游戏机、存储阵列、电信设备、DC/DC 模块和 POL 中的系统辅助电源轨
可为 FPGA 供电的 DC/DC 转换电路
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIZ340DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3） | ￥3.06218 | 在线订购 |
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