EPC 的第 4 代 eGaN FET 具有更低的导通电阻、更低的电容、更高的电流和卓越的热性能，使得电源转换器的能效高达 98% 以上。 全新系列 eGaN FET 将电阻 (RDS(ON)) 削减了一半，实现了高电流、高功率密度应用。 这一最新一代 eGaN FET 相比上一代还将硬开关的品质因数 (FOM) 降低了一半，从而提升了高频功率转换应用中的开关性能。 扩展 GaN 至 30 V 的性能优势能够在隔离式电源、PC 和服务器中实现高功率 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换器和同步整流器。