这种 7 mm x 9 mm x 0.7 mm 大型器件拥有出色的 RDS(on) 性能，可降低传导损耗，提升系统能效。 与中小罐 DirectFET® 器件类似，大型器件也采用双面冷却方式，以实现最佳传热性能，提升功率密度。 DirectFET® 也拥有最佳的裸片基底面比，能减小电路板尺寸。 此外，该器件拥有超扁平 (0.7 mm) 外形，成为空间受限型高功率工业电源设计的理想解决方案。
与 DirectFET® 系列的其它器件一样，这款工业用大型封装器件采用了能够提高可靠性的无键合线设计。 DirectFET 封装符合 RoHS 的所有要求，例如提供完全不含铅的物料清单，并且非常适合长生命周期的设计。 而其它同类型的高性能封装则包含采用含铅的裸片贴装，虽然符合 RoHS 的第 7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于 2016 年到期。
DirectFET 系列新增大型封装器件后，继续领先业界，成为市场上最可靠、性能最高的 MOSFET 封装产品之一。 这种大型 DDirectFET® 系列的基底面比 D²PAK 等传统的大型塑料表面贴装功率封装显著减小，还增加了上方散热性能，因而非常适合空间受限的长寿命工业电源设计。