
STripFET F7 系列功率 MOSFET

这些 STMicroelectronics MOSFET 具有更低的芯片面积导通电阻(STripFET F7 Series Power MOSFETs)
发布时间:2018-06-14
ST 的 STripFET F7 系列低压 MOSFET 采用增强型沟槽栅极结构,在降低器件导通电阻的同时还降低了内部电容和栅极电荷,以实现更快、更高效的开关操作。 其出色的品质因数 (FoM) 和高雪崩稳固性有助于简化设计、减小器件尺寸和成本并提升应用可靠性,如电信或计算系统、太阳能逆变器、工业自动化和汽车应用等。
相比以前的 STripFET F4 和 F3 系列,全新的 F7 系列具有更低的芯片面积导通电阻。 这样,又能通过减少并联器件降低设计人员对高功率设计的需求。
采用 H2PAK 封装的 80 V STripFET F7 MOSFET 用于高电流电机控制设计,具有 1.7 mΩ 导通电阻和高达 200 A 的电流能力。
增加了您下一个高电流电机控制设计的能效,带有 ST 最新的 80 V STripFET F7 MOSFET,组装在高电流(高达 200 A)、低热阻 2 和 6 引线 H2PAK 封装中。 它们将极低的导通电阻 (1.7 mΩ) 与经过优化的开关性能结合在一起,满足严格的能效要求,具有出色的 EMI 性能和高雪崩稳固性,适合坚固型设计(STH270N8F7-2 和 STH270N8F7-6)。
STripFET F7 系列功率 MOSFET特性
市面上最小的 RDS(ON)
最小的 RDS(ON) x Qg,可提升系统能效、实现更紧凑的设计
最低 Crss/Ciss 比率,以增强抗 EMI 性能
高雪崩稳固性
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | STL90N6F7 | MOSFETs-晶体管 | N沟道60 V、0.0046 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装 | ¥21.25586 | 在线订购 |
![]() | | STP100N6F7 | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 60 V 100A(Tc) 125W(Tc) TO-220 | ¥3.22190 | 在线订购 |
![]() | | STB130N6F7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK | ¥20.71717 | 在线订购 |
![]() | | STP140N6F7 | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 60 V 80A(Tc) 158W(Tc) TO-220 | ¥8.72100 | 在线订购 |
![]() | | STF100N6F7 | MOSFETs-晶体管 | N沟道60 V、4.6 mOhm典型值、46 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220FP封装 | ¥15.94189 | 在线订购 |
![]() | | STP130N6F7 | MOSFETs-晶体管 | N沟道60 V、4.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装 | ¥21.99255 | 在线订购 |
![]() | | STB100N6F7 | MOSFETs-晶体管 | N沟道60 V、4.7 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET,D2PAK封装 | ¥21.51720 | 在线订购 |
![]() | | STL130N6F7 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=130A Pd=125W POWERFLAT 5X6 | ¥3.67650 | 在线订购 |
![]() | | STL140N6F7 | MOSFETs-晶体管 | N沟道60 V、0.0024 Ohm典型值、140 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装 | ¥8.27319 | 在线订购 |
![]() | | STL220N6F7 | MOSFETs-晶体管 | N沟道60 V、0.0012 Ohm典型值、260 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装 | ¥26.07189 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | STL110N10F7 | MOSFETs-晶体管 | N沟道100 V、5 mOhm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装 | ¥9.00484 | 在线订购 |
![]() | | STH110N10F7-2 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.5mΩ@10V TO263 | ¥24.74361 | 在线订购 |
![]() | | STH150N10F7-2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 | ¥36.33871 | 在线订购 |
![]() | | STH270N8F7-6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | ¥17.74725 | 在线订购 |
![]() | | STH240N10F7-2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 | 在线订购 | |
![]() | | STH270N8F7-2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 | ¥16.64652 | 在线订购 |
![]() | | STH310N10F7-2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道100 V、1.9 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 | ¥21.80070 | 在线订购 |
![]() | | STL130N8F7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6 | ¥10.03692 | 在线订购 |
![]() | | STH140N8F7-2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 | ¥30.97997 | 在线订购 |
![]() | | STH240N10F7-6 | MOSFETs-晶体管 | N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装 | ¥44.75490 | 在线订购 |
应用案例
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