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Si8410DB 芯片级 N 沟道 MOSFET
Vishay Siliconix 推出采用 1 mm² 基底面用于任何 20 V 器件的最低导通电阻 MOSFET（Si8410DB Chipscale N-Channel MOSFET）
发布时间：2018-06-14
与采用 CSP 1 mm2 封装的最接近竞争器件相比，Vishay Siliconix Si8410DB 的导通电阻在 4.5 V 时有 26% 的提升，在 2.5 V 时有 32% 的提升，在 1.8 V 时有 35% 的提升以及在 1.5 V 时有 27% 的提升。 与 DFN 1 mm2 封装的器件相比，导通电阻在 4.5 V 时降低了 32%， 在 2.5 V 时降低了 40%，在 1.8 V 时降低了 48% 以及在 1.5 V 时降低了 43%。 该器件的低导通电阻、低至 1.5 V 的额定值和 ± 8 V 的 VGS 为锂离子电池供电型应用带来了安全裕量、栅极驱动设计灵活性和高性能的组合。
Si8410DB 具有 30 mΩ-mm2 的超低面积导通电阻 — 比最接近的竞争型 20 V DFN 1 mm2 MOSFET 降低了 28 % — 节省了移动应用的空间并减少了电池功耗。 低导通电阻意味着该器件在直流和脉冲峰值电流时压降很低，因此有很少电能浪费而产生热。 相比最接近的最佳 CSP 和 DFN 1 mm2 封装器件，更低的导通电阻和更低的热阻分别实现了 45% 和 144% 的温升降低。
Si8410DB 芯片级 N 沟道 MOSFET特性
紧凑型 MICRO FOOT 1 mm² 封装具有超薄 0.54 mm 最大高度，节省了空间
极低导通电阻减少了电池电量消耗
导通电阻额定电压为 4.5 V 至 1.5 V，提供了栅极驱动的设计灵活性
±8 V VGS 在锂离子电池供电型应用中提供额外的安全保证
符合 RoHS 规范且无卤素
Si8410DB 芯片级 N 沟道 MOSFET应用
以下电源管理应用中的负载开关、小信号开关和高速开关：
平板手机
智能电话
平板电脑
可穿戴设备
固态硬盘
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SI8410DB-T2-E1 | MOSFETs-晶体管 | ￥14.12436 | 在线订购 |
应用案例
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