与采用 CSP 1 mm2 封装的最接近竞争器件相比，Vishay Siliconix  Si8410DB 的导通电阻在 4.5 V 时有 26% 的提升，在 2.5 V 时有 32%  的提升，在 1.8 V 时有 35%  的提升以及在 1.5 V 时有 27%  的提升。 与 DFN 1 mm2 封装的器件相比，导通电阻在 4.5 V 时降低了 32%， 在 2.5 V 时降低了 40%，在 1.8 V 时降低了 48% 以及在 1.5 V 时降低了 43%。 该器件的低导通电阻、低至 1.5 V 的额定值和 ± 8 V 的 VGS 为锂离子电池供电型应用带来了安全裕量、栅极驱动设计灵活性和高性能的组合。
Si8410DB 具有 30 mΩ-mm2 的超低面积导通电阻 — 比最接近的竞争型 20 V DFN 1 mm2 MOSFET 降低了 28 % — 节省了移动应用的空间并减少了电池功耗。 低导通电阻意味着该器件在直流和脉冲峰值电流时压降很低，因此有很少电能浪费而产生热。 相比最接近的最佳 CSP 和 DFN 1 mm2 封装器件，更低的导通电阻和更低的热阻分别实现了 45% 和 144% 的温升降低。