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扩展温度系列中压 MOSFET
ON Semiconductor 全新系列中压 MOSFET （Extended Temperature Family of Mid-voltage MOSFETs）提供了高达 175°C Tj 的扩展温度、宽电压范围以及最佳的 RDS(ON)，为您的设计带来了更大的灵活性和更高的可靠性
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造，并经过专门定制，以便在保持出色开关性能的同时最大限度地减小导通电阻。 这种先进的 PowerTrench®工艺还在精选零件上采用了屏蔽栅技术。
扩展温度系列中压 MOSFET特性
扩展 TJ 额定值达 175°C
实现超低 RDS(ON) 的高性能技术
先进的封装和硅组合，具有低 RDS(ON)
MSL1 坚固型封装设计
100% 通过 UIL 测试
端子无铅且符合 RoHS 规范
当符合 IPC9592 时提供了 25°C 的 Tj 工作温度增加，在允许的 MOSFET 功率耗散下实现了高至 85% 的改进
增强了 MTBF
扩展温度系列中压 MOSFET应用
桥拓扑结构
工业高环境温度和恶劣环境应用的理想选择
同步整流器
DC-DC 转换
初级侧 DC-DC MOSFET
次级侧同步整流器
负载开关
OringFET/负载开关
初级侧 MOSFET
电机控制开关
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDBL0120N40 | MOSFETs-晶体管 | ￥42.87513 | 在线订购 | |
| | FDBL0090N40 | MOSFETs-晶体管 | ￥44.09716 | 在线订购 | |
| | FDBL0065N40 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8 | ￥19.14548 | 在线订购 |
 | | FDBL0630N150 | MOSFETs-晶体管 | ￥56.51129 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMC86340ET80 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 48A POWER33 | ￥14.39079 | 在线订购 |
 | | FDMC86260ET150 | MOSFETs-晶体管 | ￥8.49985 | 在线订购 | |
| | FDMC86160ET100 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对低导通电阻进行优化。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用，如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。 | ￥9.58036 | 在线订购 |
| | FDMC86570LET60 | MOSFETs-晶体管 | N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 | ￥33.49256 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMS86550ET60 | MOSFETs-晶体管 | 安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 | ￥76.14721 | 在线订购 |
 | | FDMS86150ET100 | MOSFETs-晶体管 | N沟道 , 100V , 128A , 187W , 3.9mΩ@10V,16A , 3V@250uA , 25nC@0~5V , 3.055nF@50V , 29pF@50V , -55℃~+175℃@(Tj) , | ￥30.91640 | 在线订购 |
| | FDMS86255ET150 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。 | ￥61.59569 | 在线订购 |
 | | FDMS86202ET120 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。 | ￥64.03893 | 在线订购 |
| | FDMS86350ET80 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 | ￥28.22395 | 在线订购 |
应用案例
资讯艾体宝新闻 | 应对新型 IoT 僵尸网络攻击，ONEKEY 方案守护安全2025-12-02
一、事件概述 最近，安全圈爆出一起严重威胁：一种名为 ShadowV2 的新型僵尸网络／恶意软件正被黑客用于利用物联网（IoT）设备漏洞进行大规模攻击。 ShadowV2 于 2025年10月底首次被发现，与当时一次全球范围的 Amazon Web Services (AWS) 中断事件时间吻合。黑客似乎借这次混乱测试其基础设施。 恶意攻击通过 IoT 设备发起，形成“僵尸网络 (botnet)”，以发动大规模分布式拒绝服务攻击 (DDoS) 为主要目的。被攻击设备分布广泛，包括家用/办公路由器、 DVR、NAS 等
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11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计，荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动器产品奖，彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
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20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下，低能耗、高可靠性、小占地面积已成为 UPS 的新发展方向。
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增强现实(AR)与虚拟现实(VR)头显标志着人机交互领域的重大飞跃，其打造的沉浸式体验远超传统屏幕交互模式。AR 头显通过同步定位与地图构建(SLAM)、深度感知及计算机视觉等核心技术，将三维物体、标注信息、空间数据等数字内容叠加于用户的现实视野中，实现虚拟元素与物理空间的精准锚定。这一特性使其在工业维护、医疗可视化、位置服务等领域，能够提供实时情境化增强功能，赋能专业场景高效运作。
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安森美（onsemi）推出了AR0830 RGBIR以及AR0544 RGBIR sensor，广泛应用在医疗，以及IOT智能家居应用上，那么我们怎么在安森美的DevWareX上来进行RGBIR的图像和视频的抓取呢？
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在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下，电力电子领域正经历一场变革。安森美(onsemi)凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮，推出的高能效系统重新定义了性能与可靠性的行业标准。本文将解答关于 vGaN 的核心疑问，并阐释该技术对能源与电源解决方案未来发展的影响。
资讯基于安森美产品的直流电动汽车充电桩解决方案2025-11-20
蓬勃发展的电动汽车(EV)市场推动了包括电动汽车充电器在内的多个行业的发展，为满足日益增长的电动汽车需求并实现低碳目标，通过高效设计电动汽车充电系统来完善充电基础设施至关重要。
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