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    CSD19536KCS 功率 MOSFET

    CSD19536KCS 功率 MOSFET

    来自 Texas Instruments 的 100 V、N 沟道、NexFET™ 功率 MOSFET(CSD19536KCS Power MOSFET)

    发布时间:2018-06-14

    Texas Instruments 的 100 V、2.3 mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用的损耗。 具体应用包括次级侧同步整流器和电机控制。

    CSD19536KCS 功率 MOSFET特性

    • 超低 Qg 和 Qgd

    • 低热阻

    • 额定雪崩

    • 无铅端子镀层

    • 符合 RoHS 规范

    • 无卤素

    • TO-220 塑料封装

    CSD19536KCS Power MOSFET
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    CSD19536KCSMOSFETs-晶体管CSD19536KCS 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET在线订购

    应用案例

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