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    BLL8Hxx 系列射频功率晶体管

    BLL8Hxx 系列射频功率晶体管

    NXP Semiconductors 推出具有集成双侧 ESD 保护、内部匹配功能和高坚固性的 BLL8Hxx 系列射频功率晶体管(BLL8Hxx Family RF Power Transistors)。

    发布时间:2018-06-14

    NXP 推出适合 L 波段雷达应用的采用其第 8 代 50 V LDMOS 技术的 BLL8Hxx 系列射频功率晶体管。 BLL8Hxx 系列具有出色的宽频带(1.2-1.4 GHz) 工作性能,输出功率水平有 25、130、250 和 500 W (P,1 dB)。 BLL8Hxx 系列具有集成双侧 ESD 保护、内部匹配,高坚固性、高能效(典型值 50%)和出色的热稳定性。

    • BLL8H0514-25:适用于 0.5 GHz 至 1.4 GHz 范围内脉冲应用的 25 W LDMOS 晶体管

    • BLL8H0514L (S)-130:适用于 0.5 GHz 至 1.4 GHz 范围内脉冲应用的 130 W LDMOS 晶体管

    • BLL8H1214LS-500:适用于 1.2 GHz 至 1.4 GHz 范围内 L 波段雷达应用的 500 W LDMOS 功率晶体管

    • BLL8H1214L(S)-250:适用于 1.2 GHz 至 1.4 GHz 范围内 L 波段雷达应用的 250 W LDMOS 功率晶体管

    BLL8Hxx 系列射频功率晶体管特性

    • 简易功率控制

    • 集成双侧 ESD 保护

    • 在不同脉冲格式条件下具有高度灵活性

    • 优异的坚固性

    • 高能效

    • 出色的热稳定性

    • 设计用于宽频带操作(1.2 GHz 至 1.4 GHz)

    • 易于使用的内部匹配

    • 符合有关危险物质限制 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令

    BLL8Hxx 系列射频功率晶体管应用

    1. 适合 1.2 GHz 至 1.4 GHz 频率范围内雷达应用的 L 波段功率放大器

    BLL8Hxx Family RF Power Transistors
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BLL8H0514L-130U时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A在线订购
    BLL8H0514LS-130U时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B在线订购
    BLL8H1214L-250U时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A在线订购
    BLL8H1214L-500U时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A在线订购
    BLL8H0514-25U时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C在线订购
    BLL8H1214LS-250U时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B在线订购
    BLL8H1214LS-500U时钟/计时 - IC 电池RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B在线订购

    应用案例

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