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BLL8Hxx 系列射频功率晶体管
NXP Semiconductors 推出具有集成双侧 ESD 保护、内部匹配功能和高坚固性的 BLL8Hxx 系列射频功率晶体管（BLL8Hxx Family RF Power Transistors）。
发布时间：2018-06-14
NXP 推出适合 L 波段雷达应用的采用其第 8 代 50 V LDMOS 技术的 BLL8Hxx 系列射频功率晶体管。 BLL8Hxx 系列具有出色的宽频带（1.2-1.4 GHz) 工作性能，输出功率水平有 25、130、250 和 500 W (P,1 dB)。 BLL8Hxx 系列具有集成双侧 ESD 保护、内部匹配，高坚固性、高能效（典型值 50%）和出色的热稳定性。
BLL8H0514-25：适用于 0.5 GHz 至 1.4 GHz 范围内脉冲应用的 25 W LDMOS 晶体管
BLL8H0514L (S)-130：适用于 0.5 GHz 至 1.4 GHz 范围内脉冲应用的 130 W LDMOS 晶体管
BLL8H1214LS-500：适用于 1.2 GHz 至 1.4 GHz 范围内 L 波段雷达应用的 500 W LDMOS 功率晶体管
BLL8H1214L(S)-250：适用于 1.2 GHz 至 1.4 GHz 范围内 L 波段雷达应用的 250 W LDMOS 功率晶体管
BLL8Hxx 系列射频功率晶体管特性
简易功率控制
集成双侧 ESD 保护
在不同脉冲格式条件下具有高度灵活性
优异的坚固性
高能效
出色的热稳定性
设计用于宽频带操作（1.2 GHz 至 1.4 GHz）
易于使用的内部匹配
符合有关危险物质限制 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令
BLL8Hxx 系列射频功率晶体管应用
适合 1.2 GHz 至 1.4 GHz 频率范围内雷达应用的 L 波段功率放大器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLL8H0514L-130U | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A | 在线订购 | |
 | | BLL8H0514LS-130U | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B | 在线订购 | |
 | | BLL8H1214L-250U | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A | 在线订购 | |
 | | BLL8H1214L-500U | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | 在线订购 | |
 | | BLL8H0514-25U | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C | 在线订购 | |
 | | BLL8H1214LS-250U | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | 在线订购 | |
 | | BLL8H1214LS-500U | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B | 在线订购 |
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