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DMHC3025LSD 和 DMHC4035LSD MOSFET H 桥电路
Diodes Incorporated 把其扩展系列专用 MOSFET H 桥电路（DMHC3025LSD and DMHC4035LSD MOSFET H-Bridges）的基底面减少了 50%
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 推出 DMHC3025LSD 与 DMHC4035LSD 系列器件，进一步扩充了其专用 MOSFET H 电桥系列产品。 这些元件设计用于空间受限型单相有刷和无刷电机驱动电路、感应式无线充电电路。
这些 MOSFET 器件的额定电压为 30 V、40 V 并具有低 RDS(ON)性能，因此能在 70°C 高温环境下工作，同时仍能分别支持 3 A 和 2 A 连续电流，因此能适应最严重的电机失速电流情况。
DMHC3025LSD 和 DMHC4035LSD MOSFET H 桥电路特性
更小的基底面
采用单一 SO8 封装，基底面为 5 x 6 mm ，这些 H 桥可节省 PCB 空间，减少元件数和装配成本
低 RDS(ON)
< 50 m，能将导通损耗降至最低，使 H 桥能在电机失速条件下耐受高连续电流
高脉冲电流
30 A 峰值脉冲能力，能在感应负载启动期间安全地消耗高浪涌电流
最大漏极电压
40 V 和 30 V V DSS 能为所用的 24 V 和 12 V VCC 电源轨电压提供足够的裕量。
DMHC3025LSD 和 DMHC4035LSD MOSFET H 桥电路应用
DC 电机控制
DC-AC 逆变器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DMHC3025LSD-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N 和 2 P 沟道（半桥） 30V 6A，4.2A 1.5W 表面贴装型 8-SO | ￥1.49160 | 在线订购 |
 | | DMHC4035LSD-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs VDS1=40V ID1=4.5A VDS2=40V ID2=3.7A SOIC8_150MIL | ￥4.41999 | 在线订购 |
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