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    采用现有封装的高功率双向可控硅

    采用现有封装的高功率双向可控硅

    NXP Semiconductors 的平面钝化高换向能力三象限双向可控硅(High Power Triacs in Existing Packages)

    发布时间:2018-06-14

    NXP Semiconductors 的平面钝化高换向能力三象限双向可控硅采用 TO220/IITO220/SOT186A 封装,专用于可能出现动态 dV/dt 和高 dI/dt 的电路。 “T”系列器件能在最高额定结温 (Tj (max)= 150 ° C) 时,在没有吸收器辅助的情况下实现全 RMS 电流换向。 该系列适合在需要高工作结温性能的应用中使用。

    采用现有封装的高功率双向可控硅特性

    • 采用 3Q 技术,提升了抗噪能力

    • 高换向能力,具有最强抗误触发能力

    • 能够很好地抵御 dV/dt 引起的故障导通

    • 高工作结温能力

    • 高电压耐受能力

    • 最不灵敏的栅极,具有最强的抗噪性能

    • 钝化平面,提升了电压稳定性和可靠性

    • 仅在三个象限中触发


    采用现有封装的高功率双向可控硅应用

    1. 易受高温影响的应用

    2. 加热控制

    3. 高功率电机控制

    4. 高功率开关操作


    应用案例

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