NXP Semiconductors 的平面钝化高换向能力三象限双向可控硅采用 TO220/IITO220/SOT186A 封装，专用于可能出现动态 dV/dt 和高 dI/dt 的电路。 “T”系列器件能在最高额定结温 (Tj (max)= 150 ° C) 时，在没有吸收器辅助的情况下实现全 RMS 电流换向。 该系列适合在需要高工作结温性能的应用中使用。