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BLF647P 宽带功率 LDMOS 晶体管
来自 NXP Semiconductors 的 200 W LDMOS 射频功率晶体管（BLF647P Broadband Power LDMOS Transistor）
发布时间：2018-06-14
NXP Semiconductors 针对广播发射机和工业应用推出一款 200 W LDMOS 射频功率晶体管。 该晶体管可适用于 HF 至 1500 MHz 频率范围。 出色的坚固性和宽带性能使该器件成为数字应用的理想之选。
BLF647P 宽带功率 LDMOS 晶体管特性
集成 ESD 保护
出色的坚固性
高功率增益
高能效
出色的可靠性
简单的电源控制
符合关于危险物质限制的 2002/95/EC 指令
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLF647P,112 | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | 在线订购 | |
 | | BLF647PS,112 | 时钟/计时 - IC 电池 | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | ￥1671.19046 | 在线订购 |
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