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DFN0606 小型 MOSFET
来自 Diodes Incorporated 的小型 FET （DFN0606 Mini MOSFETs）的板空间减少了 40%
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 针对空间关键型产品设计进一步扩大了其超小分立式产品的阵容。 该公司日前宣布推出三款采用 DFN0606 微小型封装的小信号 MOSFET：额定电压为 20 V 和 30 V 的 N 沟道晶体管和额定电压为 30 V 的 P 沟道零件。
这些器件的基底面仅为 0.6 mm x 0.6 mm 且每个器件所需板空间比常见的 DFN1006 (aka SOT883) 封装 MOSFET 减少了 40%，使之成为下一代可穿戴技术、平板电脑和智能手机的理想选择。
DMN2990UFZ（20 V N 沟道）、DMN31D5UFZ（30 V N 沟道）和 DMP32D9UFZ（30 V P 沟道）系列能够实现与多种较大 DFN1006 封装零件类似的或更出色的性能，设计旨在最大限度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
DFN0606 小型 MOSFET特性
0.36 mm2 基底面——比 DFN1006/SOT883 封装占用的的板空间小了 40%，帮助设计人员在保持性能不变的情况下减小设计
DFN0606 扁平封装——离板高度为 0.4 mm，因此非常适合用于扁平的下一代物联网设计
更高功率密度——DFN0606 无引线封装导热效率高且热电阻仅为 135°C/W，因此能实现更高的功率密度。
导通 VGS(th) < 1 V——这些 MOSFET 具有 < 1 V 的 VGS(th)，使低压应用充分增强了低功耗条件下的 MOSFET 通道
ESD 保护型栅极
通过 AEC-Q101 认证
无铅且完全符合 RoHS 规范
无卤素、无锑的“绿色”器件
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DMN2990UFZ-7B | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606 | ￥2.92680 | 在线订购 |
 | | DMN31D5UFZ-7B | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606- | ￥0.68024 | 在线订购 |
 | | DMP32D9UFZ-7B | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606 | ￥0.99933 | 在线订购 |
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