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下一代低压 MOSFET
Toshiba 40 V U-MOS IX-H 系列具有业界领先的 RDS(ON)（Next-Gen Low-Voltage MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Toshiba 的下一代 U-MOS IX-H 实现了低导通电阻。 这款全新 MOSFET 还实现了低 Qoss，提升了基站、服务器或工业设备所用开关模式电源电源的能效。
该系列的首款器件（40 V 版本），具有 0.7 mΩ（最大 0.85 mΩ 的典型 RDS(ON)，和 85.4 nC 的典型输出电荷 (Qoss)。 TPHR8504PL 具有 40 V 的额定电压，采用超小的 SOP-Advance 封装，外形尺寸仅 5 mm x 6 mm，同时 TPWR8004PL 还可采用双面冷却封装，尺寸仅为 5 mm x 6 mm。
输出电荷与 RDS(ON) 之间取得更好的平衡，从而提升了能效。 因此，U-MOS IX-H 系列可帮助设计人员减少功耗和设备尺寸。
U-MOS IX-H 系列最初提供 40 V 版本，未来几个月将进行系列扩充，器件额定值将在 30 V 至 60 V 之间。如果您想要任何特定的新电压，请联系 Digikey 或 Toshiba。
下一代低压 MOSFET特性
低漏源导通电阻
低输出电荷（漏源电容电荷）
SOP Advance 封装 (5 x 6 x 0.95 mm)
DSOP Advance 封装：双面冷却封装 (5 x 6 x 0.95 mm）
下一代低压 MOSFET应用
服务器和基站电源
高能效 DC-DC 转换器
开关稳压器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TPWR8004PL,L1Q | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP | ￥11.36056 | 在线订购 |
 | | TPHR8504PL,L1Q | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP | ￥15.46511 | 在线订购 |
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