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栅极驱动器
ON Semiconductor IGBT/MOSFET 驱动光耦合器（Gate Drivers）
发布时间：2018-06-14
低压侧 (LS) 驱动器是在钳位感性负载下驱动功率 MOSFET 的应用的构件块——然后驱动次级同步整流器和脉冲/栅极驱动变压器中的 MOSFET。
ON Semiconductor 的 IGBT/MOSFET 驱动光耦合器系列能为安全稳压提供隔离，同时又能从轨至轨驱动晶体管，从而满足高共模抑制和高电源抑制规范要求。
栅极驱动器特性
可选业内最小封装 (2 mm x 2 mm MLP)
设计灵活：一个/两个用于不同电路应用的通道（多个拉和灌电流选择）
源自 Optoplanar® 共面封装的出色噪声抗扰度
简单的控制方法（TTL 和 CMOS 兼容选择输入），提升了系统可靠性和高电压隔离
栅极驱动器应用
开关模式电源
DC-DC 转换器
同步整流器电路
电机控制
线路驱动器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FAN3224TMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | ￥5.00251 | 在线订购 |
| | FAN3122TMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 结合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中没有使用过。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。 | ￥8.51445 | 在线订购 |
 | | FAN3100CMPX | 栅极驱动-电源管理 | ￥4.46034 | 在线订购 | |
| | FAN3229CMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | 在线订购 | |
| | FAN3227CMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | 在线订购 | |
 | | FAN3226TMPX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | ￥6.84063 | 在线订购 |
| | FAN3227TMPX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | ￥6.58464 | 在线订购 |
| | FAN3225TMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | ￥6.31493 | 在线订购 |
| | FAN3121TMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 结合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中没有使用过。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。 | 在线订购 | |
 | | FAN3122CMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器在最终输出级结合了 MillerDrive 结构。此双极/MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中是不需要的。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。 | ￥10.30122 | 在线订购 |
 | | FOD8321 | 隔离式栅极驱动器-信号隔离器件及模块 | OPTOISO 5KV GATE DRIVER 5SOP | ￥54.70853 | 在线订购 |
| | FAN3226TMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | ￥6.09697 | 在线订购 |
| | FAN3229TMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | ￥21.95784 | 在线订购 |
| | FAN3224CMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器通过在较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入都保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 | ￥9.42317 | 在线订购 |
 | | FAN3111CSX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3111 1A 栅极驱动器设计用于驱动低端开关应用中的 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选择：FAN3111C 包含双通道 CMOS 输入，其阙值以 V | ￥3.67229 | 在线订购 |
| | FAN3111ESX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项： FAN3111C 具有双 CMOS 输入，阈值参考 VDD，用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源，该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入，和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。 | ￥2.79536 | 在线订购 |
 | | FAN3100CSX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3100 2 A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的一个 N 沟道增强 MOSFET。此驱动器可以提供TTL(FAN3100T)或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。FAN3100提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度地提高效率。 | ￥3.99277 | 在线订购 |
| | FAN3214TMX | 栅极驱动-电源管理 | FAN3213 和 FAN3214 双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN3213/14 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3213 提供两个反相驱动器，FAN3214 提供两个非反相驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。 | ￥22.14085 | 在线订购 |
_tmb.jpg) | | FOD8320 | 光电耦合器-光电器件 | FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体，5 引脚，小外形塑料封装。 | ￥42.50638 | 在线订购 |
 | | FOD8316 | 光电耦合器-光电器件 | FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。 | ￥56.03584 | 在线订购 |
应用案例
资讯解读安森美硬核APM和栅极驱动器解决方案2025-09-16
随着 12V 系统已逐渐达到性能极限，汽车行业目前正逐步向 48V 系统转型。此次转型旨在提升可用功率、减小导线与连接器尺寸，并满足更多电气设备的搭载需求及更高的功耗要求。
资讯安森美EliteSiC MOSFET与栅极驱动器在电动汽车电力系统的应用2025-07-10
在欧盟2035年零排放目标等雄心勃勃的计划推动下，从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在加速。为了吸引消费者，电动汽车必须拥有足够的续航里程，支持快速充电，而且要经济实惠。在这一变革中，碳化硅(SiC)半导体，尤其是MOSFET器件，是大幅提升电力电子性能的关键技术。
资讯SiC MOSFET如何选择栅极驱动器2025-01-02
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。
资讯电隔离栅极驱动器的隔离能力评估2024-11-11
电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第二篇，将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ，并介绍其典型的应用市场与安森美(onsemi)可提供的高新能产品选型。
资讯电隔离栅极驱动器选型指南2024-11-11
电隔离式（GI）栅极驱动器在优化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第一篇，将分享MOSFET、栅极驱动器及电隔离栅极驱动器的基础知识，还将介绍电隔离栅极驱动器选型指南。
资讯碳化硅栅极驱动器的选择标准2024-08-20
利用集成负偏压来关断栅极驱动在设计电动汽车、不间断电源、工业驱动器和泵等高功率应用时，系统工程师更倾向于选择碳化硅 (SiC) MOSFET，因为与 IGBT 相比，SiC 技术具有更高的效率和功率密度。为了保持整体系统高能效并减少功率损耗，为 SiC MOSFET 搭配合适的 SiC 栅极驱动器可谓至关重要。
资讯用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器使用指南2023-06-25
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南 。本文为
资讯如何高效完成大电流单通道栅极驱动器电路设计？2023-06-16
NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。上篇中我们介绍了NCD(V)5700x的输入(IN)和输出(OUT)信号、输入偏置电源(VDD1)、输出正负偏置电源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和结温(TJ)、欠压闭锁(UVLO)和就绪(RDY)和去饱和(DESAT)保护和软关断(STO)这六个部分的参数、功能和设计技巧。
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