
中、低压 MOSFET

ON Semiconductor PowerTrench® MOSFET 技术可实现高功率密度(Mid- and Low-Voltage MOSFETs)
发布时间:2018-06-14
ON Semiconductor PowerTrench® MOSFET 技术可为高能效解决方案实现高功率密度,进而提供最低的 RDS(ON),从而提升 FOM 并降低功率耗散。
中、低压 MOSFET特性
优异的开关性能和低开关噪声
更低的开关节点瞬时振荡:在同步降压配置中无需外部吸收器
低功率耗散,可满足苛刻的能效标准
中、低压 MOSFET应用
计算
通信
通用负载点
笔记本电脑 VCORE
负载切换
同步整流
DC-DC 转换
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | FDMS2734 | MOSFETs-晶体管 | UItraFET 器件结合了各种特性,可在电源转换应用中提供标杆式能效。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化,适用于高频 DC/DC 转换器。 | ¥23.39708 | 在线订购 |
![]() | | FDMS8622 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 Power Trench 工艺生产,针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。 | ¥3.32382 | 在线订购 |
![]() | | FDMS2572 | MOSFETs-晶体管 | UltraFET 器件结合了各种特性,可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对低 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化,适用于高频 DC/DC 转换器。 | ¥9.18640 | 在线订购 |
![]() | | FDMS3672 | MOSFETs-晶体管 | UItraFET 器件结合了各种特性,可在电源转换应用中提供标杆式能效。此类器件针对 Rds(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化,适用于高频 DC/DC 转换器。 | ¥12.10708 | 在线订购 |
![]() | | FDMS3602S | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
![]() | | FDMS7570S | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 | 在线订购 | |
![]() | | FDMS86322 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能。 | ¥9.34173 | 在线订购 |
![]() | | FDMS8027S | MOSFETs-晶体管 | FDMS8027S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展,可提供最低的 rDS(on),同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。 | ¥2.62396 | 在线订购 |
![]() | | FDMS039N08B | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。 | 在线订购 | |
![]() | | FDMS7602S | MOSFETs-晶体管 | 此器件包含两个专用 N 沟道 MOSFET,采用双 MLP 封装。开关节点已经内部连接,可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。 | ¥5.31904 | 在线订购 |
应用案例
资讯安森美荣获2025全球电子成就奖之年度功率半导体/驱动器产品奖2025-11-27
11月25日,安森美(onsemi)采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计,荣获2025年全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA)年度功率半导体/驱动器产品奖,彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
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20 世纪不间断电源(UPS)刚问世时,其唯一用途是在停电时提供应急供电,而高昂的成本限制了它的应用范围。如今,随着电力电子技术的持续发展,UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌,并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下,低能耗、高可靠性、小占地面积已成为 UPS 的新发展方向。
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安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)宣布其董事会已授权在未来三年内实施达60亿美元的新股票回购计划,自2026年1月1日起生效,原30亿美元的授权将于2025年12月31日到期。根据之前的授权,安森美在过去三年中已回购21亿美元普通股,特别是在2025年,公司将约100%的自由现金流用于股票回购。
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安森美(onsemi)推出了AR0830 RGBIR以及AR0544 RGBIR sensor,广泛应用在医疗,以及IOT智能家居应用上,那么我们怎么在安森美的DevWareX上来进行RGBIR的图像和视频的抓取呢?
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在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下,电力电子领域正经历一场变革。安森美(onsemi)凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮,推出的高能效系统重新定义了性能与可靠性的行业标准。本文将解答关于 vGaN 的核心疑问,并阐释该技术对能源与电源解决方案未来发展的影响。
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蓬勃发展的电动汽车(EV)市场推动了包括电动汽车充电器在内的多个行业的发展,为满足日益增长的电动汽车需求并实现低碳目标,通过高效设计电动汽车充电系统来完善充电基础设施至关重要。
资讯贸泽电子授权代理安森美丰富的半导体和电子元器件产品组合2025-11-17
2025年 11月 17 日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售安森美 (onsemi) 的最新授权产品与解决方案。贸泽拥有超过22,000种授权元器件可供订购,其中包括超过17,000种现货库存可随时发货,并提供广泛的安森美技术帮助买家和工程师将产品推向市场。安森美的智能电源和传感解决方案可用于多种应用,包括车辆电气化和安全、工业自动化、可持续能源网以及5G和云基础设施。 贸泽供应的







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