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    600 V MDmesh M2 EP MOSFET

    600 V MDmesh M2 EP MOSFET

    STMicroelectronics 的 600 V MDmesh M2 EP MOSFET (600 V MDmesh M2 EP MOSFETs)接近理想的开关性能

    发布时间:2018-06-14

    MDmesh M2 EP 是 STMicroelectronics 按照具有革命性意义的超级结 (SJ) 原理设计的最新一代高电压功率 MOSFET。 该器件为定制器件,在硬开关和软开关拓扑结构(如 PFC、LLC)中均实现了高性能。 得益于其条状布局和改进型垂直结构,这种技术具有较低导通电阻、低 Qg、优化开关特性,以及非常低的开关损耗。 这将使解决方案的能效更高、外形更紧凑和重量更轻。

    600 V MDmesh M2 EP MOSFET特性

    • 极低 Qg

    • 针对轻负载的优化电容特性

    • 经过优化的 Vth 和 Rg 值,适于软开关

    • 坚固耐用的体二极管

    • 在 PFC 和谐振拓扑结构中,尤其在轻负载条件下具有更高的能效(如 LLC)

    • 更小的开关损耗,适用于大范围负载和输入电压

    • 适用于硬开关和软开关拓扑结构

    • 安全的设计

    600 V MDmesh M2 EP MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    STF42N60M2-EPMOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,TO-220FP封装¥65.19406在线订购
    STP15N60M2-EPMOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.340 Ohm典型值、11 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,TO-220封装¥24.76220在线订购
    STFI15N60M2-EPMOSFETs-晶体管在线订购
    STP42N60M2-EPMOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,TO-220封装¥63.93090在线订购
    STL15N60M2-EPMOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV¥23.12463在线订购
    STD15N60M2-EPMOSFETs-晶体管MOSFETN-CH600V11AEPDPAK在线订购
    STP25N60M2-EPMOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,TO-220封装¥32.86382在线订购
    STF25N60M2-EPMOSFETs-晶体管通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP¥7.91844在线订购
    STF15N60M2-EPMOSFETs-晶体管¥23.68416在线订购
    STB42N60M2-EPMOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,D2PAK封装¥59.60786在线订购
    STW42N60M2-EPMOSFETs-晶体管N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,TO-247封装¥78.18082在线订购

    应用案例

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