
BLP05H6 50 V LDMOS 晶体管

NXP 推出其用于工业、科研和医疗应用的 50 V LDMOS 晶体管(BLP05H6 50 V LDMOS Transistors)
发布时间:2018-06-14
NXP 在其知名的 XR 系列中新推出采用 OMP 封装的 50 V LDMOS 产品,它提供 W/75 W/110 W/150 W/350 W (P,1dB) 的功率级别。 这就是支持工业、科研和医疗 (ISM) 应用的功率晶体管产品组合。 这要求极高的坚固性和最高的功率水平,如此才能以以极具吸引力价格实现高达 500 MHz 的频率。
NXP 的这款晶体管采用低成本塑料 OMP 封装 (SOT1223),扩大了其 OMP 封装的晶体管产品组合,同时提供各种不同的功率水平选择。 NXP 的创新器件使得切换至固态技术成为现实。 这些产品也受益于 C 类操作的改进和模块布局的简化,从而有助于简化总体设计导入,甚至对于最苛刻的应用也是如此。
BLP05H6 50 V LDMOS 晶体管特性
简易功率控制
集成 ESD 保护
优异的坚固性
高能效
出色的热稳定性
设计用于宽带操作(HF 至 600 MHz)
符合有关危险物质限制 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令
BLP05H6 50 V LDMOS 晶体管应用
工业、科技和医疗应用
广播发射器应用









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