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Dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET
ON Semiconductor 提供采用先进的 PowerTrench 工艺制造并使用 8 x 8 PQFN 封装的 Dual Cool 88 N 沟道 MOSFET（Dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Dual Cool 88 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺制造，并使用业内首款 8 x 8 PQFN 封装。 该器件同时结合了硅和 Dual Cool 冷封装技术的优势，具有最低 RDS(on)，同时在极低结环热阻条件下保持了出色开关性能。
据测评，ON Semiconductor 采用沟槽式硅技术的 Dual Cool 封装在功率密度和热性能领域绝对领先。 Dual Cool 封装技术在行业标准 PQFN 封装中同时提供底部和顶部冷却，为设计人员提供了提升性能的灵活性。 该器件的引线键合前身即已实现了增强的双路径热性能和更高的寄生效应，使用散热器后实现了更令人印象深刻的结果。 Dual Cool 解决方案无铅且符合 RoHS 规范。
Dual Cool 88 产品组合目前提供从 60 V 至 150 V 的覆盖范围，未来还会提供 30 V 和 40 V 的器件。
Dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET特性
先进的封装和硅组合，具有低 RDS(ON) 和高能效
下一代增强型体二极管技术，专为实现软恢复而设计
扁平 8 x 8 mm MLP 封装
MSL1 坚固型封装设计
100% UL 测试
符合 RoHS 规范
Dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET应用
AC-DC 同步整流
DC-DC 转换
服务器、台式机和笔记本电脑
电信、路由和开关
有刷和无刷直流电机
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMT80060DC | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。 | ￥76.08570 | 在线订购 |
 | | FDMT80080DC | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。 | ￥19.80000 | 在线订购 |
| | FDMT800152DC | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。 | ￥67.09726 | 在线订购 |
 | | FDMT800150DC | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual CoolTM 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。 | ￥77.16892 | 在线订购 |
| | FDMT800100DC | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual Cool | ￥84.00314 | 在线订购 |
| | FDMT800120DC | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。 | ￥70.60440 | 在线订购 |
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