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UMOS-VI 系列功率 MOSFET
Toshiba 推出用于负载开关和移动计算设备的 UMOS-VI 系列 MOSFET（UMOS-VI Series Power MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Toshiba 针对 DC-DC 电源次级部分的负载开关开发出 20 V、P 沟道功率 MOSFET。 此外，该器件还可用于移动计算设备（如平板电脑、笔记本电脑等）、以及大容量电池的电池保护电路（如锂离子电池）。 该系列产品采用 UMOS-VI 工艺，实现了低导通电阻。
UMOS-VI 系列功率 MOSFET特性
提供低 RDS(ON)，采用小型表面贴装封装 SOP advance (5 mm x 6 mm) 封装和 TSON advance (3.3 mm x 3.3 mm) 封装
提供低栅极电压，VGS= -2.5 V，工作
提供高雪崩能量
UMOS-VI 系列功率 MOSFET应用
用于 DC-DC 电源次级部分的负载开关
平板电脑、笔记本电脑和锂离子电池保护电路（2 芯）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TPN4R712MD,L1Q | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV | ￥2.53883 | 在线订购 |
 | | TPH1R712MD,L1Q | MOSFETs-晶体管 | ￥4.73943 | 在线订购 |
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