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Si8824EDB N 沟道芯片级 MOSFET
Vishay Siliconix 的业内低 RDS(ON) MOSFET（Si8824EDB N-Ch Chipscale MOSFET） 用于 20 V 器件，尺寸为 1 mm² 或小于 0.7 mm² 且额定电压低至 1.2 V
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix Si8824EDB 的导通电阻比其最有力的竞争产品——采用相同封装的 20 V MOSFET 和采用 DFN 1 mm x 0.6 mm 封装的 20 V 器件，分别低达 25% 和 65%。 该 MOSFET 具有低导通电阻、低至 1.2 V 的阈值电压和 ±5 V VGS，为锂离子电池供电应用带来了安全裕量、栅极驱动设计灵活性和高性能的组合。
Si8824DB 具有 40 mΩ mm2 的极低单位面积导通电阻，比其最有力的竞争产品——采用 DFN 1 mm2 封装的 20 V MOSFET 低 28%，节省了移动应用的空间并减少了电池功耗。 低导通电阻意味着该器件在直流和脉冲峰值电流时压降很低，因此能减少发热，节约电能。
典型应用图：
负载开关操作从子逻辑电平开始
与 PMIC 配合管理多个负载
Si8824EDB N 沟道芯片级 MOSFET特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
超小型 0.8 mm x 0.8 mm
超薄，0.357 mm 厚
典型 ESD 保护 2000 V (HBM)
Si8824EDB N 沟道芯片级 MOSFET应用
超便携式和可穿戴设备
低压降负载开关
用作 1.2 V、1.5 V 和 1.8 V 电源线路的负载开关
小信号和高速开关
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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