Vishay Siliconix 的 SiP32101 在紧凑的 12 焊球 WCSP 封装中的实现了业内低导通电阻和超低静态电流。 在智能手机、平板电脑、数码相机、便携式保健仪、数据存储系统以及其它许多设备中，极其宝贵的是 PCB 空间。 这些产品中，用于电池隔离的分立式 MOSFET 解决方案采用三个元件，通常需要 26mm2 板面积。 SiP32101 的基底面仅为 2.3 mm2，可以节省宝贵的板空间并减少元件总数，进而简化设计。 此外，该器件具有一个低电平有效使能引脚，可以直接与低压 GPIO 连接，因此无需增加电平转换电路或更高电压的栅极驱动器。 EN 引脚上的集成下拉电阻器在低功耗状态下防止杂散导通，此时 GPIO 可处于浮动状态。
SiP32101 在 3.3 V 时的 6.5 mΩ 低导通电阻能够减少功耗，提升能效。 该器件采用 2.3 V 至 5.5 V 宽输入范围并具有 2 ms 软导通时间，以最大限度减少浪涌电流，因此非常适合大容量电池应用和大电流负载的开关操作。 电流消耗在导通和断开状态下均很低。 该器件仅需要 0.015 nA 静态电流和 0.01 nA 关断电流，能在器件长期处于空载时确保电池不会很快耗尽。
这款今天发布的电池负载开关在 -40°C 至 +85°C 范围内工作，符合 RoHS 规范且无卤素，采用 1.3 mm × 1.7 mm × 0.55 mm WCSP 封装。