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低电压 (30 V) STripFET™ H7 系列功率 MOSFET
STMicroelectronics 推出其具有极低导通电阻和超低电容的低电压 STripFET H7 系列功率 MOSFET（Low Voltage (30 V) STripFET™ H7 Series Power MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
STMicroelectronics 的 STripFET H7 系列沟槽式栅低电压 (30 V) MOSFET 适用于高密度、高性能电源管理系统，具有极低的导通电阻和超低电容，并内置优化型肖特基二极管，适合在诸如电信、主板和太阳能逆变器之类应用中用于实现更高的开关工作频率。 相比以前的 H5 和 H6 系列，该 STripFET H7 系列具有更低的单位芯片面积导通电阻，并因此通过减少并行器件数而简化了设计人员对高功率设计的需求。
低电压 (30 V) STripFET™ H7 系列功率 MOSFET特性
较低导通电阻
较低 Qg
高雪崩稳固性
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STL220N3LLH7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56 | 在线订购 | |
 | | STL105NS3LLH7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 | 在线订购 | |
 | | STL160NS3LLH7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56 | 在线订购 |
应用案例
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