干扰抑制电容器

Wurth Electronics的 VDE，cULus和CQC认证的X2薄膜电容器采用275 V AC和310 V AC电压范围保证了应用的可靠干扰抑制。这些器件的间距为7.5-37.5 mm，最大可达6.8μF。脉冲稳定性可扩展至600 V /μs。基于MLCC的X＆Y电容器具有1808和1812至2211封装，可满足应用小型化的要求。所有类型均经过TÜV测试，并根据相关的UL标准获得批准。WürthElectronics是唯一一家采用两种标准引脚长度的薄膜电容器制造商。“CS”后缀是指长度为4 mm的短引线电容器，非常适合生产。不含“CS”后缀的零件具有长引线（20.0 mm），适合满足原型设计需求。

特点

• MKP，金属化聚丙烯薄膜

• 推荐的solering：Wave

• 工作温度：-40°C至105°C

• 气候类别：40/105/56 / B.

• 自我修复的特性

• 证书：cULus，CQC，VDE

应用

• 安全应用 

• 过滤

• 电源 

铝聚合物电容器

铝聚合物电容器被广泛认为是电荷存储设备领域的创新。正是在这里，Wurth Electronics提供V-Chip SMD和Radial THD部件，具有极低的ESR值，高电容，长使用寿命和目前高达63 V（DC）的电压。铝聚合物电容器含有固体导电聚合物而不是湿电解质。

优点

降低ESR

• 由于较低的ESR，较高的可接受纹波电流

• 更高的长期稳定性/预期寿命

• 固体导电聚合物不会导致干燥现象

铝电解电容器（Digi-Key提供铝合金插座;即将推出V-chip SMD和THT）

Wurth Electronics的铝电解电容器有多种设计可供选择：V-Chip SMD，径向THD和具有高电容和电压的Snap-In也可作为非极性版本提供。它们适用于85°C和1000 h的标准应用，以及高达125°C的组件和超过10,000 h的延长使用寿命。在铝电解电容器中，阴极由湿电解质组成，而阳极由铝箔制成。阳极箔上的Al 2 O 3氧化层用作电介质。与铝聚合物电容器相比，铝电解电容器具有更高的电容值（高达3300 uF）和更高的电压范围（高达450 V DC）。

特点

• 铝电解电容器

• 推荐焊接：波浪

• 宽电容值范围

• 负载寿命：在85°C下2000小时 

• 工作温度：  

• -40°C至85°C，UR <400 V  

• -25°C至85°C，UR≥400V