Vishay Siliconix 600 V EF 系列快速体二极管 MOSFET 基于第二代超级结技术，为 Vishay 现有的 E 系列元件提供了一种补充，扩大了公司对可用在 ZVS/软开关拓扑结构（如相移桥接器和 LLC 转换器半桥）中的器件的供应。 SiHx21N60EF、SiHx47N60EF 和 SiHx70N60EF 通过提供比标准 MOSFET  低 10 倍的 Qrr，增加了在这些应用中的可靠性。 这样就允许器件更快重新获得阻止全击穿电压的能力，从而有助于避免击穿和热过压故障。 该器件的超低导通电阻和栅极电荷转化为极低的导通和开关损耗能力，节省了高功率、高性能开关模式应用中的能量。