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600 V EF 系列 MOSFET
Vishay Siliconix 的快速体二极管 N 沟道 MOSFET （600 V EF Series MOSFETs）提高了可靠性，节省了软开关拓扑结构中的能耗
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix 600 V EF 系列快速体二极管 MOSFET 基于第二代超级结技术，为 Vishay 现有的 E 系列元件提供了一种补充，扩大了公司对可用在 ZVS/软开关拓扑结构（如相移桥接器和 LLC 转换器半桥）中的器件的供应。 SiHx21N60EF、SiHx47N60EF 和 SiHx70N60EF 通过提供比标准 MOSFET 低 10 倍的 Qrr，增加了在这些应用中的可靠性。 这样就允许器件更快重新获得阻止全击穿电压的能力，从而有助于避免击穿和热过压故障。 该器件的超低导通电阻和栅极电荷转化为极低的导通和开关损耗能力，节省了高功率、高性能开关模式应用中的能量。
600 V EF 系列 MOSFET特性
低反向恢复电荷 (Qrr) 提高零电压开关拓扑结构中的可靠性
超低的导通电阻和栅极电荷降低了导通和开关损耗
采用 TO-220、TO-263、细引线 TO-220F、TO-247AD 和 TO-247AC 封装
能够承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲，保证上限通过 100 % UIS 测试
符合 RoHS 规范且无卤素
600 V EF 系列 MOSFET应用
开关模式应用，包括太阳能逆变器、服务器和电信电源系统
ATX/银盒 PC SMP
焊接设备
UPS
充电器
半导体资产设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIHA21N60EF-E3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | SIHP21N60EF-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB | 在线订购 | |
 | | SIHG21N60EF-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC | ￥48.61074 | 在线订购 |
| | SIHG47N60EF-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥93.67129 | 在线订购 | |
 | | SIHB21N60EF-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263 | ￥45.06968 | 在线订购 |
 | | SIHW70N60EF-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD | 在线订购 |
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