EPC 的 EPC2029 80 V, 31 A eGaN FET 采用 1 mm 焊球间距，是其新型“Relaxed Pitch”系列的首款产品。  较大的间距允许更换器件下方的其它较大通孔，从而在 4.6 mm x 2.6 mm 这样极小的基底面内也能实现高载流能力。
与先进的硅功率 MOSFET 相比，EPC2029 具有类似导通电阻，而尺寸却要小得多并且具有胜过前者许多倍的开关性能。  EPC2029 是许多应用的理想器件，如高频 DC-DC 转换器、DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流、电机驱动器和 D 类音频等应用。
为简化这款最新高性能 eGaN FET 的评估过程，EPC9046 开发板在一个半桥拓扑结构中采用两个 EPC2029 eGaN FET 并配备板载栅极驱动器。  EPC9046 开发板包括所有关键性元件，可轻松地对 EPC2029 进行“在线”性能评估；该板采用能够实现最优开关性能的布局，并预留了添加降压型输出滤波元件的空间。