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    LM74610-Q1 零 IQ 智能二极管控制器

    LM74610-Q1 零 IQ 智能二极管控制器

    Texas Instruments 推出的 LM74610-Q1 控制器(LM74610-Q1 Zero IQ Smart Diode Controllers)可在电力系统中替代二极管或 PFET 反极性解决方案

    发布时间:2018-06-14

    Texas Instruments 的 LM74610-Q1 控制器可在反极性保护电路中与 N 沟道 MOSFET 配合使用。 用于在与电源串联的情况下驱动外部 MOSFET,以模拟理想的二极管整流器。 这种方案独特优势是,不以大地为基准,并因此具有零 IQ。
    LM74610-Q1 控制器提供用于外部 N 沟道 MOSFET 的栅极驱动,并具有快速响应内部比较器,以在遇到反极性时使 MOSFET 栅极电路放电。 这种快速下拉功能可在检测到相反极性时,限制反向电流的流量和持续时间。 采用适当的 TVS 二极管时,该器件设计还符合 CISPR25 第 5 类 EMI 规格和 ISO7637 汽车瞬态要求。

    LM74610-Q1 零 IQ 智能二极管控制器特性

    • 获得汽车应用资质认可

    • 获得 AEC-Q100 认证,结果如下:

           超过 HBM ESD 分类第 2 级

           器件 CDM ESD 分类第 C4B 级

    • 45 V 的最高反向电压

    • 阳极端子无正压限制

    • 用于外部 N 沟道 MOSFET 的充电泵栅极驱动器

    • 功率耗散较肖特基二极管/PFET 解决方案更低

    • 阳极端子无正压限制

    • 低反向漏电电流

    • 零 IQ

    • 对反极性响应快,仅 2 µs

    • 工作环境温度范围宽达 -40°C 到 125°C

    • 可用于 O 圈应用

    • 符合 CISPR25 EMI 规范

    • 采用适当的 TVS 二极管时,符合 ISO7637 汽车瞬态要求

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    LM74610-Q1 Zero IQ Smart Diode Controllers
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