LPDDR2 DRAM 特性

• 密度：

       256 Mb

       512 Mb

       1 Gb

• 低电压内核和 I/O 电源

• VDD2：1.2 V

• VDDCA/VDDQ：1.2 V

• VDD1：1.8 V

• 可选择 x16 或 x32

• 高速、未端接逻辑 (HSUL_12) I/O 接口

• 时钟频率为 10 MHz 至 533 MHz（每个 I/O 的数据速率为 20 Mbps 至 1066 Mbps）

• 四位预取 DDR 架构

• 多路复用，双数据速率，指令/地址输入

• 四个或八个内部存储体，用于支持并发操作

• 每个字节的数据均进行双向/差分数据选通 (DQS/DQS#)

• 可编程读/写延迟 (RL/WL)，猝发长度为 4、8 或 16

• ZQ 校准

• 片载温度传感器，用于控制自刷新率

• 局部阵列自刷新 (PASR)

• 深度省电模式 (DPD)

串行闪存特性

• 64 Mb 或 128 Mb

• 行业标准串行接口

• VDD = 1.8 V

• 每可编程页 256 字节

• 支持标准 SPI、快速、双通道、双通道 I/O、四通道、四通道 I/O，SPI DTR、双通道 I/O DTR、四通道 I/O DTR 和 QPI

• 支持串行闪存可发现参数 (SFDP)

• 50 MHz 正常读取和 133 MHz 快速读取

• 532 MHz 同等 QPI

• 双通道传输速率 (DTR) 高达 66 MHz

• 可选择虚拟周期

• 可配置驱动强度

• 擦除/编程次数超过 100,000 次

• 数据保存期超过 20 年

• 统一的芯片擦除：扇区/块擦除（4/32/64 KB）

• 每页编程 1 至 256 字节

• 编程/擦除、挂起和恢复

• 低指令开销操作

• 连续读取 8/16/32/64 字节猝发

• 可选择的猝发长度

• 采用 QPI 技术，减少了指令开销

• 自动引导运行

温度等级

• 商业级：0°C 至 70°C

• 工业级：-40°C 至 85°C

• 汽车 A1 级：-40°C 至 85°C

• 汽车 A2 级：-40°C 至 105°C

• 汽车 A25 级：-40°C 至 115°C

封装

• 168 焊球 PoP BGA

• 一致的基底面，包含密度迁移