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面向工业应用的中压 MOSFET
Vishay 的 TrenchFET®（第四代） 和 ThunderFET® 最新技术平台（Medium Voltage MOSFETs for Industrial Applications）具有出色的 RDS (ON)-Qg 品质因数
发布时间：2018-06-14
Vishay 坚固耐用的产品组合能够大幅提升各种市场领域中电源调节设计的性能。 该器件已超越了从插头到处理器，并能把自然界能源转化为电能等形式，丰富我们的生活。 这些产品以及 Vishay 产品组合中的 E 系列超级结 MOSFET、检测电阻器和无源产品，均是各种任务关键型设计的关键元件，是功率稳定输送的保证。
面向工业应用的中压 MOSFET特性
RDS (on) 比前代产品降低了 35% 至 60%，但充电平衡式架构将 Qg 降低了 10% 至 30%，因此提升了能效，降低了功耗
通过 I2R 降低导通损耗，进而提升了每个器件的电流输出
通过提升每个器件的功率输出或减少所需的并联元件来提升设计的功率密度
可承受更低的温度，提升了开关应用中最终设计的可靠性
提供传统 TO-220 和 D2PAK 封装，包括 7 引线 D2PAK
为应对不同工业应用中的高电流设计，高性能 D2PAK 7 引线 100 V (SUM70040M) 增大了与 PCB 的接触面积
Qgd / Qgs < 1 以及较低的 Qgd 增强了抗击穿能力
微调式 Qgd/Qgs 比增强了开关特性
通过米勒平台电压所需的时间更短，意味着导通、断开时间更快
经过优化的 AC 特性能在用作同步整流器时提升开关模式电源的能效
175°C 最高额定结温
面向工业应用的中压 MOSFET应用
这些产品将自然界的原始能源转换为从插头到处理器的电源，涵盖了采用 24 V 至 72 V 输入供电的传统工业应用，如：
AC-DC 适配器
DC-DC 转换器（隔离式拓扑结构）
ATX 电源中的同步整流
电机驱动控制
电动工具
逆变器
太阳能微型逆变器
电信设备和服务器中冗余电源架构的 OR-ring
24 V 至 48 V 电池的电路和反极性保护
电池管理模块中的电池和负载开关操作
采用半桥和全桥拓扑结构的 D 类放大器
电动车辆充电站
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SUP50020EL-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH60V120ATO220AB | ￥35.70431 | 在线订购 |
 | | SUP70040E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | ￥35.70431 | 在线订购 |
 | | SUM70040E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | ￥35.70431 | 在线订购 |
 | | SUM50020EL-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH60V120AD2PAK | 在线订购 | |
 | | SUM60030E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | ￥13.21915 | 在线订购 |
 | | SUM70040M-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | ￥31.54130 | 在线订购 |
| | SUP60030E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥36.64142 | 在线订购 |
应用案例
资讯EMI安规电容器选型时需要考虑什么2025-11-25
安规电容是在电子电路中用于抑制电源电磁干扰的电容器，其核心的作用有两方面：一是消除电源线路中的噪声，对共模，差模干扰进行滤波;二是要满足安全规范 IEC60384-14 的要求。
资讯Vishay HRHA充电电阻器技术解析与应用指南2025-11-17
Vishay MCB HRHA充电电阻器（用于EV混合绕线技术）具有高能量/体积比，符合AEC-Q200标准。Vishay MCB HRHA充电电阻器设计用于工业和汽车电器中的预充电、放电和有源放电电阻器。该系列在不锈钢上的额定功率为90W，在Pamitherm上的额定功率为54W。这些混合绕线电阻器的温度范围为-55C°至+250°C。
资讯Vishay Spectrol 157型精密工业电位器技术解析与应用指南2025-11-17
Vishay/Spectrol 157型精密工业电位器是7/8" (22.2mm) 元件，由导电塑料制成，有套管和伺服安装型号可供选择。这些电位器具有1kΩ至100kΩ电阻范围、 10%或±20%容差选项、360°连续旋转以及340° (±4°) 电角度，可在宽温度范围内工作。坚固的一体式金属外壳有助于延长旋转寿命。
资讯Vishay TNPW系列含铅薄膜片式电阻器技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay TNPW含铅薄膜片式电阻器是高稳定性、薄膜片式电阻器。这些薄膜电阻器采用含铅端子，因此适合用于非常重视可靠性和稳定性的关键应用，例如军事、航空电子和工业应用。这些电阻器的封装尺寸范围为0402至1210，电阻范围为10Ω至3.01MΩ，容差为±1%至±0.1%。Vishay TNPW含铅薄膜片式电阻器采用陶瓷结构、金属膜层和SnPb端子电镀，引线触点>6%。
资讯Vishay Spectrol 534系列多匝线绕电位器技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay/Spectrol 534系列7/8" (22.2mm) 多匝绕线电位计采用套管和伺服安装设计，标准线性度为±0.25%，特殊电阻容差为1%。这些器件具有2W额定功率（+70°C时）、10匝绕线、100Ω至100kΩ电阻范围，以及10Ω至200kΩ能力范围。其他特性包括双群组配置和同心轴、后轴扩展和支撑轴承，以及特殊标记和前轴扩展。Vishay/Spectrol 7/8" (22.2mm) 多匝绕线电位计非常适合用于工业应用。
资讯Vishay BC Components 202 PML-ST系列铝电解电容器技术解析2025-11-14
Vishay/BC Components 202 PML-ST/MAL2202螺钉端子铝电解电容器 (AEC) 的使用寿命长达10,000小时（+85°C时），具有大纹波电流和低等效串联电阻 (ESR)。Vishay/BC Components 202 PML-ST/MAL2202 AEC的应用寿命超过25年（+50°C时），额定电容范围为330μF至56,000μF。这些电容器可在电机驱动器、不间断电源 (UPS)、焊接、X射线设备等中提供能量存储。
资讯Vishay SIP32434 电子保险丝技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay / Siliconix SIP32434单通道电子保险丝集成了多种控制和保护特性。SIP32434具有更高可控性和可靠性，简化了设计，并最大限度地减少了外部元件数量。SIP32434A和SIP32434B保护电源和连接开关的下游电路。保护功能包括过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流。
资讯Vishay SuperTan®液态钽电容器技术解析与应用指南2025-11-13
Vishay/Sprague STH SuperTan ^®^ 液态钽电容器性能更加强大，具有军用元器件H级抗热冲击和抗振动能力。该系列还具备高达300次的抗热冲击能力。其设计牢固性强且可靠性高，采用了玻璃-金属气密封接、绝缘套管和锡/铅轴向端接，D型封装尺寸。Vishay/Sprague STH SuperTan液态钽电容器的工作温度范围为-55°C ~ +85°C，在电压降额情况下工作温度可高达+125°C。其它特性如下：电容为880μF或1200μF（容差为±20%），低等效串联电阻 (ESR) 为500mΩ或600mΩ。通常应用于航空电子设备、航空航天、石油钻探和水下设备、电源、致动器、应答器以及无线电、雷达和军事系统。
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