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CSD87334Q3D 同步降压 NexFET™ 电源块
Texas Instruments 推出采用 3.3 mm × 3.3 mm 基底面的 CSD87334Q3D NexFET 电源块（CSD87334Q3D Synchronous Buck NexFET™ Power Block）
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 CSD87334Q3D NexFET 电源块是一种面向同步降压和升压应用的设计优化器件，在 3.3 mm × 3.3 mm 的小巧封装内实现了高电流、高效率和高频性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，在与外部控制器或驱动器配合使用时，可在高占空比应用中提供灵活的解决方案。
CSD87334Q3D 同步降压 NexFET™ 电源块特性
半桥电源模块
针对高占空比进行了优化
高达 24 VIN
12 A 时系统能效为 96.1%
12 A 时 1.6 W P损耗Loss
工作电流高达 20 A
高频工作（高达1.5 MHz）
高密度：SON 3.3 mm × 3.3 mm 基底面
针对 5 V 栅极驱动进行了优化
低开关损耗
超低电感封装
符合 RoHS 规范
无卤素
无铅端子镀层
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | CSD87334Q3DT | MOSFETs-晶体管 | CSD87334Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块 | ￥14.55961 | 在线订购 |
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