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    DMN3027LFG MOSFET 能使电容器安全放电

    DMN3027LFG MOSFET 能使电容器安全放电

    Diodes 的 DMN3027LFG 30 V、N 沟道 MOSFET (DMN3027LFG MOSFET Enables Safe Capacitor Discharge)采用高热效 PowerDI3333 封装,用于电容器安全放电

    发布时间:2018-06-14

    Diodes 的 DMN3027LFG 30 V、N 沟道 MOSFET 设计用于 FPGA 电源轨上大容量电容器的快速安全的放电开关。 在电信设备、服务器和数据中心中使用的最新 FPGA 采用了多个电源轨,且需要正确定序,以便为这些系统正确上电和断电。 利用 Diodes 的新型 MOSFET,高可靠性 DC-DC 电源设计人员就能轻松快捷地实现上述功能。 为避免损坏 FPGA 系统,每个电源轨需要在序列中的下一个电源轨前放电。 通过 DMN3027LFG 开关使电容器有效放电,进而使电源轨放电。

    DMN3027LFG MOSFET 能使电容器安全放电特性

    • RDS(on)<26 mΩ

    • 安全工作区域 (SOA)

    • PowerDI3333 – 3.3 mm x 3.3 mm 基底面

    DMN3027LFG MOSFET 能使电容器安全放电应用

    FPGA 用于以下设备:

    1. 电信设备

    2. 服务器

    3. 数据中心

    30 V N-Channel MOSFET
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    DMN3027LFG-7MOSFETs-晶体管MOSFETN-CH30VPOWERDI3333-8¥2.18539在线订购
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