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DMN3027LFG MOSFET 能使电容器安全放电
Diodes 的 DMN3027LFG 30 V、N 沟道 MOSFET （DMN3027LFG MOSFET Enables Safe Capacitor Discharge）采用高热效 PowerDI3333 封装，用于电容器安全放电
发布时间：2018-06-14
Diodes 的 DMN3027LFG 30 V、N 沟道 MOSFET 设计用于 FPGA 电源轨上大容量电容器的快速安全的放电开关。 在电信设备、服务器和数据中心中使用的最新 FPGA 采用了多个电源轨，且需要正确定序，以便为这些系统正确上电和断电。 利用 Diodes 的新型 MOSFET，高可靠性 DC-DC 电源设计人员就能轻松快捷地实现上述功能。 为避免损坏 FPGA 系统，每个电源轨需要在序列中的下一个电源轨前放电。 通过 DMN3027LFG 开关使电容器有效放电，进而使电源轨放电。
DMN3027LFG MOSFET 能使电容器安全放电特性
RDS(on)<26 mΩ
安全工作区域 (SOA)
PowerDI3333 – 3.3 mm x 3.3 mm 基底面
DMN3027LFG MOSFET 能使电容器安全放电应用
FPGA 用于以下设备：
电信设备
服务器
数据中心
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DMN3027LFG-7 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH30VPOWERDI3333-8 | ￥2.48302 | 在线订购 |
应用案例
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