600 V UltraMOS™ MOSFET

Central Semiconductor 的 600 V UltraMOS MOSFET(600 V UltraMOS™ MOSFETs) 具有高电压能力、低栅极电荷
发布时间:2018-06-14
Central Semiconductor 的 CDM4-600LR (4 A, DPAK)、CDM7-600LR (7 A, DPAK) 和 CDM22011-600LRFP (11 A, TO 220FP) 是 UltraMOS 系列高电压、高能效 MOSFET 的首批器件,设计旨在最大限度降低总导通损耗,同时实现最高功率密度。 这些器件采用行业标准封装和定制封装。
600 V UltraMOS™ MOSFET特性
高电压耐受能力
低栅极电荷
超低 RDS(ON)
600 V UltraMOS™ MOSFET应用
功率因数校正 (PFC)
固态照明 (SSL)
替代能源逆变器







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