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    600 V UltraMOS™ MOSFET

    600 V UltraMOS™ MOSFET

    Central Semiconductor 的 600 V UltraMOS MOSFET(600 V UltraMOS™ MOSFETs) 具有高电压能力、低栅极电荷

    发布时间:2018-06-14

    Central Semiconductor 的 CDM4-600LR (4 A, DPAK)、CDM7-600LR (7 A, DPAK) 和 CDM22011-600LRFP (11 A, TO 220FP) 是 UltraMOS 系列高电压、高能效 MOSFET 的首批器件,设计旨在最大限度降低总导通损耗,同时实现最高功率密度。 这些器件采用行业标准封装和定制封装。

    600 V UltraMOS™ MOSFET特性

    • 高电压耐受能力

    • 低栅极电荷

    • 超低 RDS(ON)

    600 V UltraMOS™ MOSFET应用

    1. 功率因数校正 (PFC)

    2. 固态照明 (SSL)

    3. 替代能源逆变器

    UltraMOS MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    CDM4-600LR TR13时钟/计时 - IC 电池MOSFET N-CH 4A 600V DPAK在线订购
    CDM7-600LR TR13时钟/计时 - IC 电池MOSFET N-CH 7A 600V DPAK在线订购
    CDM22011-600LRFP SL时钟/计时 - IC 电池MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP在线订购
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