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60 V、双重、N 沟道沟槽式 MOSFET
NXP 的 60 V、双重、N 沟道沟槽式 MOSFET（60 V, Dual, N-Channel Trench MOSFET） 具有超过 2 kV HBM 的静电放电保护 (ESD) 能力
发布时间：2018-06-14
NXP 的 NX7002BKXBZ 是一款采用沟槽式 MOSFET 技术的双重、N 沟道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为无铅、超小型 DFN1010B-6 (SOT1216)、表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
60 V、双重、N 沟道沟槽式 MOSFET特性
兼容逻辑电平
无铅、超小型、超薄 SMD 塑料封装 (1.1 mm x 1.0 x 0.37 mm)
沟槽式 MOSFET 技术
静电放电 ESD 保护能力超过 2 KV HBM
60 V、双重、N 沟道沟槽式 MOSFET应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低压侧负载开关
开关电路
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BSH205G2R | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 20V 3.00 x 1.40mm SMT SOT23 2.3A | 在线订购 |
应用案例
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资讯关于敦促安世荷兰切实回应沟通解决控制权问题以保障全球供应链稳定的声明2025-11-24
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电子发烧友网综合报道，外媒最新消息，荷兰政府暂停了对芯片制造商Nexperia的控制权，将控制权归还给其中国母公司闻泰科技，从而缓和了与北京的僵局。这场僵局此前已开始阻碍全球汽车生产。 荷兰经济事务大臣文森特·卡雷曼斯周三在社交媒体网站X上发帖称，此前赋予荷兰阻止或修改Nexperia决策权的命令已被撤销，此举“旨在展现善意”。 早前外媒曾报道，如果能确认该公司位于中国的工厂已交付芯片，荷兰准备采取制裁措施。 此举标志着
资讯安世半导体车规级碳化硅MOSFET入围2025年度行家说极光奖评选2025-11-17
行家说极光奖，作为聚焦于第三代半导体领域的专业奖项，以其严谨的产业洞察与技术前瞻性，已成为衡量企业创新深度与市场价值的重要风向标。它旨在表彰那些具有行业表率的优秀企业、引领产业变革的创新技术和优秀产品。
资讯安世中国打脸荷兰安世：混淆视听、断供、抹黑2025-11-14
电子发烧友网综合报道 11月14日，安世半导体（中国）有限公司（以下简称“安世中国”）发布最新的《安世半导体致全体员工20251114》。该公司在公告中指出，荷兰安世临时首席执行官Stefan Tilger以个人名义发出的致安世中国全体员工信函枉顾事实、试图混淆视听，充分反映出荷兰安世部分管理层推卸责任、置安世中国全体员工切身利益于不顾的态度。 这封信函将过去两周安世中国与荷兰安世的“暗斗”再次推向“明面”，而这场漩涡中牵涉的不仅是
资讯事关安世芯片，中国收到大量申请2025-11-09
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