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DMN61D8LVTQ 感性负载驱动器
Diodes 的 DMN61D8LVTQ 集成式、汽车级、感性负载驱动器（DMN61D8LVTQ Inductive-Load Driver）能减小空间和成本
发布时间：2018-06-14
Diodes 的 DMN61D8LVTQ 片载集成式齐纳二极管和偏置电阻器取消了多个外部元件，既节省成本又减小了 PCB 基底面。
感性负载开关通常需要一个续流二极管来抑制开关断开时产生的电压尖峰。 DMN61D8LVTQ 感性负载驱动器通过采用一种低压侧电路配置摆脱了上述要求限制，在该电路配置中，采用背靠背齐纳二极管为内部 MOSFET 提供有源过压漏极钳位。 通过确保将该钳位电压设置值低于 MOSFET 雪崩击穿电压，还可保护该 MOSFET 免受潜在的破坏性瞬态电压的损坏。
输入端由其它的齐纳二极管组提供 ESD 保护。 MOSFET 的额定漏源极电压 (VDS) 为 60 V，最高栅源极电压 (VGS) 为 ±12 V。DMN61D8LVTQ 感性负载驱动器采用 TSOT26 封装。
DMN61D8LVTQ 感性负载驱动器特性
集成解决方案
集成有源箝位
汽车级
稳健的设计
DMN61D8LVTQ 感性负载驱动器应用
汽车用感性负载开关操作
车窗、车门、车锁
天线继电器
电磁阀
小型 DC 电机
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DMN61D8LVTQ-7 | MOSFETs-晶体管 | ￥10.73952 | 在线订购 |
应用案例
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