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DTMOS4 高速超级结 MOSFET
Toshiba 的 DTMOS4 MOSFET （DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs）适合需要高可靠性、高能效和紧凑设计的应用
发布时间：2018-06-14
Toshiba 的 DTMOS IV-H 高速开关系列由 TK25N60X、TK25E60X、TK25A60X、TK31N60X、TK31E60X、TK31V60X、TK39N60X 和 TK62N60X 组成，基于 Toshiba 的第四代 600 V 超级结 MOSFET DTMOS IV 系列。
DTMOS IV-H 超级结 MOSFET 系列采用 Toshiba 先进的单一外延工艺，非常适合用于需要高可靠性、能效和紧凑设计的应用。 这些应用包括用于服务器和电信基站高能效开关电源，和用于光伏逆变器的功率调节器。
DTMOS IV-H 系列实现了高速开关性能，同时保持传统 DTMOS IV 的低导通电阻，且全无功率损耗。 这是通过减小栅极和漏极之间的寄生电容（典型 Ciss 范围为 2400 pF 至 6500 pF）来实现的，同时也有助于实现更高的能效和更小的产品尺寸。
与传统的 DTMOS IV 相比，栅极模式优化减少了 45% 的栅漏电荷（典型 Qg 范围为从 40 nC 至 135 nC）。 该产品系列具有较低导通电阻 RDS(ON)，在 VGS = 10 V（最大值）时为 0.125 Ω 至 0.040 Ω，且这些器件因为使用了单一外延工艺，所以在高温下只是稍稍增加了导通电阻。
DTMOS IV-H 系列目前采用 TO-247、TO-220、TO-220SIS 和 8 x 8 mm DFN 封装。
DTMOS4 高速超级结 MOSFET特性
Qgd 值约减少 45%（栅漏电荷）
导通电阻为 0.125 Ω 至 0.040 Ω
提供 4 种不同的封装：
TO-247
TO-220
TO-220SIS
DFN 8 x 8 mm
DTMOS4 高速超级结 MOSFET应用
服务器
基站开关式电源
光伏逆变器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TK62N60X,S1F | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247 | 在线订购 | |
| | TK25N60X,S1F | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 | 在线订购 | |
| | TK31N60X,S1F | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 | 在线订购 | |
 | | TK39N60X,S1F | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247 | 在线订购 | |
 | | TK25E60X,S1X | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB | 在线订购 | |
 | | TK25A60X,S5X | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH600V25ATO-3PN | ￥39.67040 | 在线订购 |
| | TK25N60X5,S1F | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 25A TO247 | ￥24.36570 | 在线订购 |
| | TK25A60X5,S5X | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH600V25ATO-220SIS | ￥46.31970 | 在线订购 |
| | TK25E60X5,S1X | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH600V25ATO-220AB | 在线订购 | |
 | | TK31V60X,LQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN | ￥42.41575 | 在线订购 |
| | TK31E60X,S1X | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220 | ￥50.71500 | 在线订购 |
应用案例
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