在可穿戴设备以及虚拟现实和物联网 (IoT) 等应用的驱动下，智能手机产生的数据通信业务量不断增长，因而存在越来越多需要 ESD 保护的高速数据接口。 为解决这一需求，Toshiba Electronics Europe 发布了全新的 ESD 保护二极管，该产品基于其第四代 ESD 二极管阵列工艺 (EAP-IV)，采用 Toshiba 的专有快速恢复技术技术。 DF2B5M4SL、DF2B6M4SL、DF10G5M4N 和 DF10G6M4N 为高速接口（包括 USB 3.1 应用）提供了保护。 用户可灵活选择 3.6 V 或 5.5 V 工作电压以及 SOD962 和 DFN10 两种封装，从而为各种设计提供 ESD 保护。 得益于 Toshiba 的新工艺，这四种器件同时实现了低电容、低动态电阻和高 ESD 耐受能力。 0.2 pF 的超低电容保证了高速数据信号的极小信号失真，同时 RDYN=0.5 Ω 的动态电阻（典型值）可确保低箝位电压。 支持高 ESD 保护级别，保障静电放电电压至少 ± 20 kV，符合 IEC61000-4-2 标准。 DF2BxM4SL 器件特别适用于安装在高元件密度的 PCB 上，SOD-962 封装的基底面仅 0.62 x 0.32 mm，因而可放置在需要 ESD 保护的 IC 附近。 对于 DF10GxM4N 型器件，DFN10 封装可直接放置在 4 位总线线路上方。 这种直通式设计无需额外的短线来连接单 TVS 二极管，从而支持 PCB 的简单总线布线。 Toshiba 还提供各种低成本 ESD 二极管，用于更苛刻的应用领域，包括高速 USB 和 HDMI 以 及音频端口和按钮保护。