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SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E 和 SiHH11N60E MOSFET
Vishay 的 600 V、E 系列 MOSFET（SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, and SiHH11N60E MOSFETs） 采用 PowerPAK® 8 mm x 8 mm 封装，并通过 Kelvin 连接降低栅极驱动电感
发布时间：2018-06-14
Vishay 的 600 V、E 系列 MOSFET 采用 PowerPAK 8 mm x 8 mm 封装结构，允许把其中一个源引脚指定为能将栅极驱动返回路径与主载流源端子隔离的专用 Kelvin 源连接。 这样会防止高电流路径中的 L x di/dt 电压降降低施加到 E 系列 MOSFET 上的栅极驱动电压。 这样，就能在电信、服务器、计算、照明和工业应用的电源设计中实现更块的开关速度、更强的抗噪能力。
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E 和 SiHH11N60E MOSFET特性
采用节省空间的表面贴装式 PowerPAK 8 mm x 8 mm 封装
该系列均采用可实现低热阻的大型漏源端子、能通过改进栅极驱动信号提升能效的 Kelvin 源连接
符合 RoHS 规范，无卤素、100% 无铅 (Pb)
节省空间，是传统的 TO-220 和 TO-263 解决方案的替代品，但具有与 TO-263 (D2PAK) 类似的热性能
低导通电阻和低栅极电荷降低了导通和开关损耗，因此节能
能够承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲，具有通过 100% UIS 测试的保证限值
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E 和 SiHH11N60E MOSFET应用
功率因数校正
反激式转换器
服务器和电信电源的双开关正向转换器
HID 和日光灯镇流器照明
消费类和计算类电源适配器
电机驱动器
太阳能 PV 逆变器
感应加热
焊接设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIHH14N60E-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8 | ￥41.99341 | 在线订购 |
 | | SIHH26N60E-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥50.90894 | 在线订购 | |
| | SIHH11N60E-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 | 在线订购 | |
| | SIHH21N60E-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8 | ￥47.52088 | 在线订购 |
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