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VS-GP250SA60S IGBT 电源模块
Vishay Semiconductor Diodes 推出 600 V、250 A 沟槽绝缘栅双极型晶体管 PT IGBT（VS-GP250SA60S IGBT Power Module）
发布时间：2018-06-14
Vishay Semiconductor Diodes 的 VS-GP250SA60S 专用于 TIG 焊接机。 它基于 Vishay 的专有沟槽式 PT IGBT 技术，具有低至 1.10 V 的集电极至发射极电压和低至 11 mJ 的输出逆变器级关断开关能量。 应用包括 TIG 焊接机的输出逆变器级。
VS-GP250SA60S IGBT 电源模块特性
标准速度沟槽式 PT IGBT
比平面 IGBT 具有更小的尺寸，因而电流密度更高、热阻（结点至外壳）更低，从而保障了性能
全隔离式封装
低集电极至发射极电压，从而实现极低的导通损耗
极低的内部电感（典型值 ≤ 5 nH）
关断开关功耗相比前一代器件低 50%，能实现更高的能效和长期可靠性
行业标准外形
双 INT-A-PAK 封装，高度仅 17 mm
UL 认证号 E78996
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