Vishay Siliconix 的 650 V EF 系列快速体二极管 MOSFET 是对 Vishay 标准 E 系列元器件的完整补充，它们具有比标准 MOSFET 低 10 倍的 Qrr 和更高的可靠性。此外，650 V 型号还具有额外的电压余量。 600 V 和 650 V 的 E 系列和 EF 系列使得超级结家族的产品更为齐全，并让 Vishay Siliconix 的产品线进一步扩展至可用在 ZVS/软开关拓扑结构（如相移桥接器和 LLC 转换器半桥）中的器件。 其低 Qrr 允许器件更快重新获得阻止全击穿电压的能力，从而有助于避免击穿和热过压故障。 超低导通电阻和栅极电荷转化为极低的导通和开关损耗，因此节省了高功率、高性能开关模式应用中的能量。

电路拓扑结构

• 设计用于软切换或零电压开关拓扑结构，如：

• 相移桥接器

• 3 级逆变器

• LLC 转换器

• 还可用于体二极管 MOSFET 仅工作于第一象限（从不打开）的“硬开关”拓扑结构：

• 相移桥接器

• 3 级逆变器

• LLC 转换器