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    650 V 快速体二极管 MOSFET

    650 V 快速体二极管 MOSFET

    Vishay Siliconix 的 650 V EF 系列(650 V Fast Body Diode MOSFETs)增大了电压余量,适用于工业、电信和再生能源应用中的软切换

    发布时间:2018-06-14

    Vishay Siliconix 的 650 V EF 系列快速体二极管 MOSFET 是对 Vishay 标准 E 系列元器件的完整补充,它们具有比标准 MOSFET 低 10 倍的 Qrr 和更高的可靠性。此外,650 V 型号还具有额外的电压余量。 600 V 和 650 V 的 E 系列和 EF 系列使得超级结家族的产品更为齐全,并让 Vishay Siliconix 的产品线进一步扩展至可用在 ZVS/软开关拓扑结构(如相移桥接器和 LLC 转换器半桥)中的器件。 其低 Qrr 允许器件更快重新获得阻止全击穿电压的能力,从而有助于避免击穿和热过压故障。 超低导通电阻和栅极电荷转化为极低的导通和开关损耗,因此节省了高功率、高性能开关模式应用中的能量。

    电路拓扑结构

    • 设计用于软切换或零电压开关拓扑结构,如:

      • 相移桥接器

      • 3 级逆变器

      • LLC 转换器

    • 还可用于体二极管 MOSFET 仅工作于第一象限(从不打开)的“硬开关”拓扑结构:

      • 相移桥接器

      • 3 级逆变器

      • LLC 转换器


    650 V 快速体二极管 MOSFET特性

    • 650 V 漏-源极电压

    • 低反向恢复电荷 (Qrr) 能提高零电压开关/软切换拓扑结构中的可靠性

    • 采用细引线 TO-220 FullPAK、D2PAK (TO-263)、TO-247AC、TO-220AB 和 PowerPAK® 8 x 8 封装

    • 超低的导通电阻和栅极电荷降低了导通和开关损耗

    • 能够承受在雪崩和换相模式下的高能量脉冲,保证上限通过 100% UIS 测试

    • 符合 RoHS 规范且无卤素

    650 V 快速体二极管 MOSFET应用

    1. 太阳能逆变器

    2. 服务器和电信电源

    3. ATX/银盒 (Silver box) PC

    4. SMPS

    5. 焊接设备

    6. UPS

    7. 电池充电器

    8. 电动汽车 (EV) 外部充电站

    9. LED

    10. 高强度放电 (HID)

    11. 荧光灯镇流器

    650 V Fast Body Diode MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    SIHA21N65EF-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 650V 21A TO-220在线订购
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    应用案例

    • 资讯EMI安规电容器选型时需要考虑什么2025-11-25

      安规电容是在电子电路中用于抑制电源电磁干扰的电容器,其核心的作用有两方面:一是消除电源线路中的噪声,对共模,差模干扰进行滤波;二是要满足安全规范 IEC60384-14 的要求。

    • 资讯Vishay HRHA充电电阻器技术解析与应用指南2025-11-17

      Vishay MCB HRHA充电电阻器(用于EV混合绕线技术)具有高能量/体积比,符合AEC-Q200标准。Vishay MCB HRHA充电电阻器设计用于工业和汽车电器中的预充电、放电和有源放电电阻器。该系列在不锈钢上的额定功率为90W,在Pamitherm上的额定功率为54W。这些混合绕线电阻器的温度范围为-55C°至+250°C。

    • 资讯Vishay Spectrol 157型精密工业电位器技术解析与应用指南2025-11-17

      Vishay/Spectrol 157型精密工业电位器是7/8" (22.2mm) 元件,由导电塑料制成,有套管和伺服安装型号可供选择。这些电位器具有1kΩ至100kΩ电阻范围、 10%或±20%容差选项、360°连续旋转以及340° (±4°) 电角度,可在宽温度范围内工作。坚固的一体式金属外壳有助于延长旋转寿命。

    • 资讯‌Vishay TNPW系列含铅薄膜片式电阻器技术解析与应用指南2025-11-14

      Vishay TNPW含铅薄膜片式电阻器是高稳定性、薄膜片式电阻器。这些薄膜电阻器采用含铅端子,因此适合用于非常重视可靠性和稳定性的关键应用,例如军事、航空电子和工业应用。这些电阻器的封装尺寸范围为0402至1210,电阻范围为10Ω至3.01MΩ,容差为±1%至±0.1%。Vishay TNPW含铅薄膜片式电阻器采用陶瓷结构、金属膜层和SnPb端子电镀,引线触点>6%。

    • 资讯‌Vishay Spectrol 534系列多匝线绕电位器技术解析与应用指南2025-11-14

      Vishay/Spectrol 534系列7/8" (22.2mm) 多匝绕线电位计采用套管和伺服安装设计,标准线性度为±0.25%,特殊电阻容差为1%。这些器件具有2W额定功率(+70°C时)、10匝绕线、100Ω至100kΩ电阻范围,以及10Ω至200kΩ能力范围。其他特性包括双群组配置和同心轴、后轴扩展和支撑轴承,以及特殊标记和前轴扩展。Vishay/Spectrol 7/8" (22.2mm) 多匝绕线电位计非常适合用于工业应用。

    • 资讯Vishay BC Components 202 PML-ST系列铝电解电容器技术解析2025-11-14

      Vishay/BC Components 202 PML-ST/MAL2202螺钉端子铝电解电容器 (AEC) 的使用寿命长达10,000小时(+85°C时),具有大纹波电流和低等效串联电阻 (ESR)。Vishay/BC Components 202 PML-ST/MAL2202 AEC的应用寿命超过25年(+50°C时),额定电容范围为330μF至56,000μF。这些电容器可在电机驱动器、不间断电源 (UPS)、焊接、X射线设备等中提供能量存储。

    • 资讯Vishay SIP32434 电子保险丝技术解析与应用指南2025-11-14

      Vishay / Siliconix SIP32434单通道电子保险丝集成了多种控制和保护特性。SIP32434具有更高可控性和可靠性,简化了设计,并最大限度地减少了外部元件数量。SIP32434A和SIP32434B保护电源和连接开关的下游电路。保护功能包括过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流。

    • 资讯Vishay SuperTan®液态钽电容器技术解析与应用指南2025-11-13

      Vishay/Sprague STH SuperTan ^®^ 液态钽电容器性能更加强大,具有军用元器件H级抗热冲击和抗振动能力。该系列还具备高达300次的抗热冲击能力。其设计牢固性强且可靠性高,采用了玻璃-金属气密封接、绝缘套管和锡/铅轴向端接,D型封装尺寸。Vishay/Sprague STH SuperTan液态钽电容器的工作温度范围为-55°C ~ +85°C,在电压降额情况下工作温度可高达+125°C。其它特性如下:电容为880μF或1200μF(容差为±20%),低等效串联电阻 (ESR) 为500mΩ或600mΩ。通常应用于航空电子设备、航空航天、石油钻探和水下设备、电源、致动器、应答器以及无线电、雷达和军事系统。

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