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Si8817DB P沟道20 V MOSFET
Vishay的Si8817DB P沟道20 V MOSFET（Si8817DB P-Channel 20 V MOSFET），采用小型MICRO FOOT 0.8 mm封装，具有低导通电阻
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix的Si8817DB P沟道MOSFET 可用于便携式电子产品（如智能手机，平板电脑和移动计算设备）的电源管理应用中的电池或负载切换。MOSFET紧凑的外形可节省PCB空间，并提供超薄外形，以实现更轻薄的便携式电子产品，同时其低导通电阻可降低导通损耗，从而降低功耗，延长电池续航时间。该器件的低导通电阻还意味着负载开关上的压降较低，以防止意外的欠压锁定。
MOSFET采用超高密度技术制造，采用自对准工艺技术将10亿个晶体管单元封装到每平方英寸的硅片中。结合MICRO FOOT的无封装CSP技术，可为给定的轮廓区域提供最低的导通电阻。
-20 V P沟道Si8817DB针对降压转换器应用进行了优化。4.5 V栅极驱动时的最大导通电阻为76mΩ，0.8 mm×0.8 mm×0.4 mm的小尺寸将用于空间比导通电阻更重要的应用。
Si8817DB P沟道20 V MOSFET特性
TrenchFET功率MOSFET
小0.8毫米x 0.8毫米的轮廓区域
低0.4毫米的最大轮廓
Si8817DB P沟道20 V MOSFET应用
负载和充电器开关
电池管理
DC / DC转换器
智能手机和平板电脑
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SI8817DB-T2-E1 | MOSFETs-晶体管 | P沟道 | ￥1.62562 | 在线订购 |
应用案例
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