Vishay Siliconix的Si8817DB P沟道MOSFET 可用于便携式电子产品（如智能手机，平板电脑和移动计算设备）的电源管理应用中的电池或负载切换。MOSFET紧凑的外形可节省PCB空间，并提供超薄外形，以实现更轻薄的便携式电子产品，同时其低导通电阻可降低导通损耗，从而降低功耗，延长电池续航时间。该器件的低导通电阻还意味着负载开关上的压降较低，以防止意外的欠压锁定。

MOSFET采用超高密度技术制造，采用自对准工艺技术将10亿个晶体管单元封装到每平方英寸的硅片中。结合MICRO FOOT的无封装CSP技术，可为给定的轮廓区域提供最低的导通电阻。

-20 V P沟道Si8817DB针对降压转换器应用进行了优化。4.5 V栅极驱动时的最大导通电阻为76mΩ，0.8 mm×0.8 mm×0.4 mm的小尺寸将用于空间比导通电阻更重要的应用。