购物车
上传BOM
NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET
ON Semiconductor的 NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET （NTMFS5C4xx and NVMFS5C4xx 40 V Power MOSFETs）具有低输入电容，可将开关损耗降至最低
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻 RDS(ON)，从而能将传导损耗降至最低，并提升总体工作效率水平。 这些器件的栅极电容 (Ciss) 也非常低（低至 2164 微微法拉 (pF)），这可确保驱动器损耗保持在尽可能低的水平。 该器件已达到可在高达 175˚C 的结温下工作的产品级别，能让工程师们的设计获得更大散热空间。
NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET特性
低 RDS(ON) 将传导损耗降至最低
低输入电容 (Ciss) 将开关损耗降至最低
最高结温达 175°C
适于采用紧凑设计的小基底面
NVM 器件符合 AEC-Q101 认证，具有 PPAP 能力
NTMFS5C4xx 和 NVMFS5C4xx 40 V 功率 MOSFET应用
高性能 DC-DC 转换器
汽车
电机控制
负载开关
螺线管驱动器
负载点模块
DC 电机驱动器
二次同步整流
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NTMFS5C468NLT1G | MOSFETs-晶体管 | 功率 MOSFET 40V，37A，10.3mΩ，单 N 沟道 | ￥6.47099 | 在线订购 |
 | | NTMFS5C410NT1G | MOSFETs-晶体管 | 功率 MOSFET，40 V，0.92 mΩ，300 A，单 N 沟道 | ￥3.72900 | 在线订购 |
| | NTMFS5C456NLT1G | MOSFETs-晶体管 | ￥8.44963 | 在线订购 | |
| | NTMFS5C442NT1G | MOSFETs-晶体管 | 功率 MOSFET，40V，140A，2.3 mΩ，单 N 沟道 | ￥16.72526 | 在线订购 |
| | NTMFS5C426NT1G | MOSFETs-晶体管 | ￥13.38568 | 在线订购 | |
| | NTMFS5C404NT1G | MOSFETs-晶体管 | ￥83.06847 | 在线订购 | |
 | | NTMFS5C450NT1G | MOSFETs-晶体管 | Power MOSFET 40V, 102A, 3.3 mΩ, Single N-Channel | 在线订购 | |
| | NTMFS5C430NT1G | MOSFETs-晶体管 | ￥3.74000 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | NVMFS5C423NLT1G | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL | 在线订购 | |
| | NVMFS5C404NT1G | MOSFETs-晶体管 | N沟道,40V,378A,0.7mΩ@10V | ￥28.00358 | 在线订购 |
应用案例
资讯安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来2025-12-04
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。
资讯基于安森美产品的汽车48V系统解决方案2025-12-04
早期汽车仅依赖 12V 电气系统实现点火、车灯等基础功能，而如今的汽车已截然不同。现代车辆搭载了电动助力转向、各类泵体、空调压缩机及电池组等诸多高功耗设备，给传统 12V 系统带来了巨大压力。
资讯安森美联手英诺赛科！中低压GaN器件渗透加速2025-12-03
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会，基于英诺赛科成熟的200mm硅基氮化镓制造工艺，探索扩大氮化镓功率器件的生产规模。 备忘录中明确了合作框架，将整合安森美在集成系统与封装领域的领导地位，以及英诺赛科成熟的氮化镓技术与高产量制造能力，为工业、汽车、电信基础设施、消费电子和人工智能数据中心市场提供高性价比、高能效的氮化镓
资讯艾体宝新闻 | 应对新型 IoT 僵尸网络攻击，ONEKEY 方案守护安全2025-12-02
一、事件概述 最近，安全圈爆出一起严重威胁：一种名为 ShadowV2 的新型僵尸网络／恶意软件正被黑客用于利用物联网（IoT）设备漏洞进行大规模攻击。 ShadowV2 于 2025年10月底首次被发现，与当时一次全球范围的 Amazon Web Services (AWS) 中断事件时间吻合。黑客似乎借这次混乱测试其基础设施。 恶意攻击通过 IoT 设备发起，形成“僵尸网络 (botnet)”，以发动大规模分布式拒绝服务攻击 (DDoS) 为主要目的。被攻击设备分布广泛，包括家用/办公路由器、 DVR、NAS 等
资讯安森美荣获2025全球电子成就奖之年度功率半导体/驱动器产品奖2025-11-27
11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计，荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动器产品奖，彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
资讯基于安森美产品的在线式不间断电源解决方案2025-11-27
20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下，低能耗、高可靠性、小占地面积已成为 UPS 的新发展方向。
资讯使用安森美图像传感器的AR与VR头戴设备系统应用方案2025-11-27
增强现实(AR)与虚拟现实(VR)头显标志着人机交互领域的重大飞跃，其打造的沉浸式体验远超传统屏幕交互模式。AR 头显通过同步定位与地图构建(SLAM)、深度感知及计算机视觉等核心技术，将三维物体、标注信息、空间数据等数字内容叠加于用户的现实视野中，实现虚拟元素与物理空间的精准锚定。这一特性使其在工业维护、医疗可视化、位置服务等领域，能够提供实时情境化增强功能，赋能专业场景高效运作。
资讯安森美宣布60亿美元股票回购授权计划2025-11-27
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布其董事会已授权在未来三年内实施达60亿美元的新股票回购计划，自2026年1月1日起生效，原30亿美元的授权将于2025年12月31日到期。根据之前的授权，安森美在过去三年中已回购21亿美元普通股，特别是在2025年，公司将约100%的自由现金流用于股票回购。
工商网监