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FDMS86181 PowerTrench® MOSFET
ON Semiconductor 提供具有更高能效、更低开关噪声的 FDMS86181 MOSFET（FDMS86181 PowerTrench® MOSFET），提升了 EMI 和热性能
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 早在二十世纪 90 年代即已帮助先驱厂家开发出沟槽式 PowerTrench MOSFET，并且自那时起一直在完善 MOSFET 技术，现已开发并生产出数以千计的适合任何应用的产品组合。
ON Semiconductor 先进的 100 V、FDMS86181 屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET 是这一产品大家族的最新成员，它具有目前同级别产品当中最小的 RDS(ON)、Qrr 以及最短的反向恢复时间，同时又能实现最高的能效。 FDMS86181 的电压过冲接近于零，因此降低了电压瞬时振荡并提升了 EMI 性能，适合需要额定 100 V MOSFET 的电源和电机驱动应用。 其更高的功率密度带来了更宽的 MOSFET 降额，让设计人员免于过度设计。
FDMS86181 是该系列即将推出的首款器件，具有多个电压和封装选择。
FDMS86181 PowerTrench® MOSFET特性
Qrr 值降低了 50%，可最大限度地减少瞬时振荡并消除了缓冲器——低于其同类竞争产品
RDS(ON) 降低了 40%，提高了能效——成为具有业内最低导通电阻的 100 V 级别产品（在此前已是业内最佳的前一 ON Semiconductor 版本基础上进一步降低）
Irrm 降低 45%，从而降低了 EMI
更佳的 FOM 实现了高效快速开关
同级最佳 P 沟道和 N 沟道技术
更高的工作温度
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMS86181 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 | ￥25.79981 | 在线订购 |
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